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MBR5831H1

更新时间: 2024-09-23 14:53:11
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摩托罗拉 - MOTOROLA 二极管
页数 文件大小 规格书
5页 388K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 25A, 40V V(RRM), Silicon, DO-4

MBR5831H1 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-MUPM-D1
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.84
Is Samacsys:N应用:POWER
外壳连接:CATHODE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):0.82 VJEDEC-95代码:DO-4
JESD-30 代码:O-MUPM-D1最大非重复峰值正向电流:800 A
元件数量:1相数:1
端子数量:1最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-65 °C最大输出电流:25 A
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:40 V最大反向电流:20000 µA
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:NO
技术:SCHOTTKY端子形式:SOLDER LUG
端子位置:UPPERBase Number Matches:1

MBR5831H1 数据手册

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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 5A, 150V V(RRM), Silicon, DO-201AD, ROHS CO