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MBR5200-BP PDF预览

MBR5200-BP

更新时间: 2024-11-14 13:11:11
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 整流二极管
页数 文件大小 规格书
2页 120K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 5A, 200V V(RRM), Silicon, DO-201AD, DO-201AD, 2 PIN

MBR5200-BP 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DO-201AD
包装说明:DO-201AD, 2 PIN针数:2
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.66
其他特性:LOW NOISE应用:GENERAL PURPOSE
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码:DO-201ADJESD-30 代码:O-XALF-W2
JESD-609代码:e3最大非重复峰值正向电流:120 A
元件数量:1相数:1
端子数量:2最大输出电流:5 A
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:200 V
表面贴装:NO技术:SCHOTTKY
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

MBR5200-BP 数据手册

 浏览型号MBR5200-BP的Datasheet PDF文件第2页 
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ   ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
MBR5200  
Micro Commercial Components  
ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ  
Features  
·
·
·
·
Low Switching Noise  
5 Amp Schottky  
Barrier Rectifier  
200 Volts  
Low Forward Voltage Drop  
High Current Capability  
High Surge Current Capability  
Maximum Ratings  
DO-201AD  
·
·
Operating Temperature: -50°C to +150°C  
Storage Temperature: -50°C to +150°C  
MCC  
Catalog  
Number  
Device  
Marking  
Maximum  
Recurrent  
Peak  
Reverse  
Voltage  
200V  
Maximum Maximum  
RMS  
DC  
Voltage  
Blocking  
Voltage  
D
MBR5200 MBR5200  
140V  
200V  
A
Cathode  
Mark  
B
D
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified  
Average Forward  
Current  
IF(AV)  
5.0A  
TA = 85°C  
Peak Forward Surge  
Current  
IFSM  
120A  
8.3ms, half sine  
C
Maximum  
Instantaneous  
Forward Voltage  
VF  
1.0V  
IFM = 5.0A;  
TA = 25°C*  
DIMENSIONS  
INCHES  
MIN  
.287  
MM  
MIN  
7.30  
DIM  
A
B
MAX  
.374  
.208  
MAX  
9.50  
5.30  
NOTE  
Maximum DC  
Reverse Current At  
Rated DC Blocking  
Voltage  
.189  
4.80  
IR  
0.1mA  
TA = 25°C  
C
D
.048  
1.000  
.052  
---  
1.20  
25.40  
1.30  
---  
*Pulse test: Pulse width 300 msec, Duty cycle 2%  
www.mccsemi.com  
Revision: 3  
2003/04/30  

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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 5A, 200V V(RRM), Silicon, DO-27, DO-27(C),