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MBR5008W

更新时间： 2024-02-18 06:57:54

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虹扬 - HY		局域网二极管
页数	文件大小	规格书
2页	31K
描述
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 50A, 800V V(RRM), Silicon, MBRW, 4 PIN

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MBR5008W 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	S-PUFM-W4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.75	其他特性：	UL RECOGNIZED
外壳连接：	ISOLATED	配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	S-PUFM-W4	最大非重复峰值正向电流：	500 A
元件数量：	4	相数：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	50 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	SQUARE
封装形式：	FLANGE MOUNT	最大重复峰值反向电压：	800 V
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	UPPER	Base Number Matches：	1

MBR5008W 数据手册

MBR10/15/25/35/50A W SERIES

REVERSE VOLTAGE

FORWARD CURRENT - 10/15/25/35/50 Amperes

- 50 to 1000Volts

SILICON BRIDGE RECTIFIERS

MBRW

FEATURES

METAL HEAT SINK

● Surge overload -240~500 amperes peak

.335(8.5)

.295(7.5)

● Low forward voltage drop

● Mounting position: Any

● Electrically isolated base -2000 Volts

● Materials used carries U/L recognition

1.200

(30.5)MIN

.042(1.07)

.038(0.97)

Hole for

No.8 screw

193"(4.9)diam

1.133(28.8)

1.114(28.3)

1.133(28.8)

1.114(28.3)

.732(18.6)

.693(17.6)

.469(11.9)

.429(10.9)

.732(18.6)

.693(17.6)

Dimensions in inches and (milimeters)

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Rating at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.

Resistive or inductive load 60HZ.

For capacitive load current by 20%

MBR-W MBR-W MBR-W MBR-W MBR-W MBR-W MBR-W

10005

15005

25005

35005

50005

1001

1501

2501

3501

5001

100

1002

1502

2502

3502

5002

200

1004

1504

2504

3504

5004

400

1006

1506

2506

3506

5006

600

1008

1508

2508

3508

5008

800

1010

1510

2510

3510

5010

1000

700

SYMBOL

UNIT

CHARACTERISTICS

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage

VRRM

VRMS

Maximum RMS Bridge Input Voltage

Maximum Average Forward

140

280

420

560

I(AV)

Rectified Output Current at

Peak Forward Surge Current

8.3ms Single Half Sine-Wave

Super Imposed on Rated Load

Maximum Forward Voltage Drop

@Tc=55℃

MBR

10W

MBR

15W

MBR

25W

MBR

35W

MBR

50W

400

500

300

400

240

IFSM

1.1

Per Element at 5.0/7.5/12.5/17./25.0 Peak

Maximum Reverse Current at Rated

10.0

μA

DC Blocking Voltage Per Element

Operating Temperature Range

@TJ=25℃

-55 to +150

℃

Storage Temperature Range

TSTG

REV. 1, 30-Dec-2011

~ 456 ~

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与MBR5008W相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
MBR5010	GOOD-ARK	SILICON BRIDGE RECTIFIERS	获取价格
MBR5010	HY	SILICON BRIDGE RECTIFIERS	获取价格
MBR50100WT	MCC	50 Amp Schottky Barrier Rectifier 20 to 100 Volts	获取价格
MBR5010W	HY	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 50A, 1000V V(RRM), Silicon, MBRW, 4 PIN	获取价格
MBR5020WT	MCC	50 Amp Schottky Barrier Rectifier 20 to 100 Volts	获取价格
MBR5025L	MOTOROLA	SWITCHMODE⑩ Power Rectifier	获取价格