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MBR5045

更新时间： 2024-02-15 01:14:23

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GSG		肖特基二极管
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1页	48K
描述
Chips for Schottky Diodes

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MBR5045 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-247AD
包装说明：	R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.6
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOW POWER LOSS
应用：	EFFICIENCY	外壳连接：	CATHODE
配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	TO-247AD
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	最大非重复峰值正向电流：	400 A
元件数量：	2	相数：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	175 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	25 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	45 V
表面贴装：	NO	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

MBR5045 数据手册

MBR5045

Chips for Schottky Diodes

Chip Specification

General Description:

Schottky Diode chips with Mo-barrier for switch mode power

rectifiers with the following features:

* Guard-ring for stress protection

* Extremely low forward voltage

* 125

operation junction temperature

℃

* reverse avalanche behavior

Mechanical Data:

MBR5045 passivated Silicon Chip

Dimension(mil): 200X200 mil

Thickness:

350 +- 20 m

Metallization:

Top ( Anode ) :

AlAg

Bottom ( Cathode) : TiNiAg

Forward Current (A):

Reverse Voltage (V):

50A

>45V

Type

Chip

VF(V)@25 C VF(V)@125 C _IRM@V_RMM

size(mil)

at If =50A

at 25 C

MBR5045

200X200 600mV

550mV

0,6mA

* expected value for recommended assembling with both side soldering

Typical device :1N6392

Note: Other voltages & Top Metal AL are available

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