生命周期: | Obsolete | 包装说明: | O-MUPM-D1 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.80 | 风险等级: | 5.71 |
应用: | POWER | 外壳连接: | CATHODE |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF): | 0.63 V |
JEDEC-95代码: | DO-203AA | JESD-30 代码: | O-MUPM-D1 |
最大非重复峰值正向电流: | 600 A | 元件数量: | 1 |
相数: | 1 | 端子数量: | 1 |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -65 °C |
最大输出电流: | 35 A | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | POST/STUD MOUNT |
认证状态: | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压: | 45 V |
最大反向电流: | 300 µA | 表面贴装: | NO |
技术: | SCHOTTKY | 端子形式: | SOLDER LUG |
端子位置: | UPPER | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MBR354W | DCCOM |
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TECHNICAL SPECIFICATIONS OF SINGLE-PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER | |
MBR356 | DCCOM |
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TECHNICAL SPECIFICATIONS OF SINGLE-PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER | |
MBR3560 | TRSYS |
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SCHOTTKY DIODES STUD TYPE 35 A | |
MBR3560 | MCC |
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35 Amp Rectifier 20 to 100 Volts Schottky Barrier | |
MBR3560 | NAINA |
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Schottky Power Diode, 35A | |
MBR3560R | NAINA |
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Schottky Power Diode, 35A | |
MBR3560R | TRSYS |
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SCHOTTKY DIODES STUD TYPE 35 A | |
MBR356W | DCCOM |
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TECHNICAL SPECIFICATIONS OF SINGLE-PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER | |
MBR358 | DCCOM |
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TECHNICAL SPECIFICATIONS OF SINGLE-PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER | |
MBR3580 | TRSYS |
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SCHOTTKY DIODES STUD TYPE 35 A |