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MBR30H50CT PDF预览

MBR30H50CT

更新时间： 2024-11-06 00:00:23
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 整流二极管高压
页数 文件大小 规格书
3页 87K
描述
Dual High-Voltage Schottky Rectifiers

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MBR30H50CT 技术参数

生命周期：ObsoleteReach Compliance Code：unknown
风险等级：5.84Is Samacsys：N
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.59 V
最大非重复峰值正向电流：150 A最高工作温度：175 °C
最大输出电流：15 A最大重复峰值反向电压：50 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
技术：SCHOTTKYBase Number Matches：1

MBR30H50CT 数据手册

 浏览型号MBR30H50CT的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MBR30H50CT的Datasheet PDF文件第3页 
MBR30HxxCT, MBRF30HxxCT, MBRB30HxxCT  
New Product  
Vishay Semiconductors  
formerly General Semiconductor  
Dual High-Voltage Schottky Rectifiers  
Reverse Voltage 35 to 60 V  
Forward Current 30 A  
ITO-220AB (MBRF30HxxCT)  
0.188 (4.77)  
0.172 (4.36)  
0.405 (10.27)  
0.383 (9.72)  
0.110 (2.80)  
0.100 (2.54)  
TO-220AB (MBR30HxxCT)  
0.415 (10.54) MAX.  
0.131 (3.39)  
0.122 (3.08)  
0.140 (3.56)  
0.130 (3.30)  
DIA.  
DIA.  
0.185 (4.70)  
0.175 (4.44)  
0.154 (3.91)  
0.148 (3.74)  
0.370 (9.40)  
0.360 (9.14)  
0.055 (1.39)  
0.045 (1.14)  
0.676 (17.2)  
0.646 (16.4)  
0.600 (15.5)  
0.580 (14.5)  
0.113 (2.87)  
0.103 (2.62)  
0.350 (8.89)  
0.330 (8.38)  
PIN  
2
0.145 (3.68)  
0.135 (3.43)  
3
1
0.603 (15.32)  
0.573 (14.55)  
0.191 (4.85)  
0.171 (4.35)  
0.410 (10.41)  
0.390 (9.91)  
0.350 (8.89)  
0.330 (8.38)  
0.635 (16.13)  
0.625 (15.87)  
0.110 (2.80)  
0.100 (2.54)  
0.560 (14.22)  
0.530 (13.46)  
0.060 (1.52)  
PIN 1  
PIN  
1
2
3
1.148 (29.16)  
1.118 (28.40)  
PIN 2  
0.160 (4.06)  
0.140 (3.56)  
0.110 (2.79)  
0.100 (2.54)  
PIN 3  
0.037 (0.94)  
0.027 (0.69)  
0.560 (14.22)  
0.022 (0.55)  
0.014 (0.36)  
PIN 1  
PIN 3  
PIN 2  
CASE  
0.530 (13.46)  
0.105 (2.67)  
0.095 (2.41)  
0.205 (5.20)  
0.195 (4.95)  
0.105 (2.67)  
0.095 (2.41)  
0.035 (0.90)  
0.028 (0.70)  
0.022 (0.56)  
0.014 (0.36)  
0.104 (2.65)  
0.096 (2.45)  
TO-263AB (MBRB30HxxCT)  
0.205 (5.20)  
0.195 (4.95)  
0.411 (10.45)  
0.190 (4.83)  
0.380 (9.65)  
0.055 (1.40)  
0.045 (1.14)  
0.160 (4.06)  
0.245 (6.22)  
MIN  
Mounting Pad Layout TO-263AB  
K
0.42  
(10.66)  
0.055 (1.40)  
0.047 (1.19)  
0.360 (9.14)  
0.320 (8.13)  
0.624 (15.85)  
0.591 (15.00)  
0.33  
(8.38)  
Dimensions in inches  
and (millimeters)  
K
1
2
0-0.01 (0-0.254)  
0.63  
(17.02)  
0.110 (2.79)  
0.090 (2.29)  
0.037 (0.940)  
0.027 (0.686)  
0.021 (0.53)  
0.014 (0.36)  
PIN 1  
PIN 2  
K - HEATSINK  
0.105 (2.67)  
0.095 (2.41)  
0.140 (3.56)  
0.110 (2.79)  
0.08  
(2.032)  
0.205 (5.20)  
0.195 (4.95)  
0.12  
(3.05)  
0.24  
(6.096)  
Features  
• Plastic package has Underwriters Laboratory  
Flammability Classification 94 V-0  
• Dual rectifier construction, positive center tap  
• Metal silicon junction, majority carrier conduction  
• Low forward voltage drop, low power loss  
and high efficiency  
Mechanical Data  
Case: JEDEC TO-220AB, ITO-220AB & TO-263AB molded  
plastic body  
Terminals: Plated leads, solderable per  
MIL-STD-750, Method 2026  
High temperature soldering guaranteed:  
250 °C/10 seconds, 0.25" (6.35 mm) from case  
Polarity: As marked Mounting Position: Any  
Mounting Torque: 10 in-lbs maximum  
Weight: 0.08 oz., 2.24 g  
• Guardring for overvoltage protection  
• For use in low voltage, high frequency inverters, free  
wheeling, and polarity protection applications  
• Rated for reverse surge and ESD  
• 175 °C maximum operation junction temperature  
Document Number 88866  
7-Feb-03  
www.vishay.com  
1
123

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与MBR30H50CT相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MBR30H50CT/45 VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 15A, 50V V(RRM), Silicon, TO-220AB, PLASTIC
MBR30H50CT-E3/45 VISHAY

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 		DIODE 15 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3, R
MBR30H50CTHE3/45 VISHAY

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MBR30H50PT VISHAY

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 		DIODE 30 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AD, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-3P, 3 PI
MBR30H60CT VISHAY

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 		Dual High-Voltage Schottky Rectifiers
MBR30H60CT KERSEMI

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