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MBR3035CT PDF预览

MBR3035CT

更新时间： 2024-01-02 22:37:42
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银河微电 - BL Galaxy Electrical 二极管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 309K
描述
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

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MBR3035CT 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-247AD
包装说明：R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.45
其他特性：FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY应用：GENERAL PURPOSE
外壳连接：CATHODE配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：TO-247ADJESD-30 代码：R-PSFM-T3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：240 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：15 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

MBR3035CT 数据手册

 浏览型号MBR3035CT的Datasheet PDF文件第2页 
GALAXY ELECTRICAL  
MBR3030CT - - - MBR30100CT  
BL  
VOLTAGE RANGE: 30 - 100 V  
CURRENT: 30 A  
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER  
FEATURES  
TO-220AB  
High surge capacity.  
For use in low voltage, high frequency inverters, free  
111wheeling, and polarity protection applications.  
Metal silicon junction, majority carrier conduction.  
High current capacity, low forward voltage drop.  
Guard ring for over voltage protection.  
MECHANICAL DATA  
Case:JEDEC TO-220AB,molded plastic body  
Terminals:Leads, solderable per MIL-STD-750,  
1 1  
Method 2026  
Polarity: As marked  
Position: Any  
Weight: 0.08ounce, 2.24 grams  
mm  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase,half wave,60Hz,resistive or inductive load.For capactive load,derate current by 20%.  
Ratings at 25  
MBR MBR  
MBR MBR MBR MBR MBR MBR  
UNITS  
3030CT 3035CT 3040CT 3045CT 3050CT 3060CT 3080CT 30100CT  
Maximum recurrent peak reverse voltage  
Maximum RMS Voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
30  
21  
30  
35  
25  
35  
40  
28  
40  
45  
32  
45  
50  
35  
50  
60  
42  
60  
80  
56  
80  
100  
70  
V
V
V
Maximum DC blocking voltage  
100  
Maximum average forw ard total device  
IF(AV)  
IFSM  
30  
A
A
m rectified current @TC = 105°C  
Peak forw ard surge current 8.3ms single half  
200  
b
sine-w ave superimposed on rated load  
Maximum forward  
voltage  
(IF=15A,TC=25  
(I F=15A,TC=125  
(IF=30A,TC=25  
)
-
0.80  
0.85  
)
0.57  
0.84  
0.70  
0.95  
0.65  
0.95  
V
VF  
)
(Note 1)  
(IF=30A,TC=125  
0.72  
0.85  
0.75  
)
Maximum reverse current  
at rated DC blocking voltage  
@TC=25  
@TC=125  
1.0  
60  
0.2  
IR  
m A  
40  
Maximum thermal resistance (Note2)  
Operating junction temperature range  
Storage temperature range  
RθJC  
TJ  
6.8  
4.4  
/W  
- 55 ---- + 150  
- 55 ---- + 150  
TSTG  
NOTE: 1. Pulse test:300μs pulse width,1% duty cy cle.  
www.galaxycn.com  
2. Thermal resistance from junction to case.  
Document Number 0267040  
1.  
BLGALAXY ELECTRICAL  
12

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