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MBR30150CT PDF预览

MBR30150CT

更新时间： 2024-01-10 06:14:58
品牌 Logo 应用领域
竹懋 - CITC 局域网功效瞄准线二极管
页数 文件大小 规格书
3页 99K
描述
30A High Power Schottky Barrier Rectifiers

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MBR30150CT 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：TO-220AB包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.6其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用：EFFICIENCY配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流：275 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：15 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大重复峰值反向电压：150 V
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

MBR30150CT 数据手册

 浏览型号MBR30150CT的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MBR30150CT的Datasheet PDF文件第3页 
MBR3040CT THRU MBR30200CT  
30A High Power Schottky Barrier Rectifiers  
■ Features  
■ Outline  
• Low power loss, high efficiency.  
TO-220AB  
• High current capability, low forward voltage drop.  
• High surge capability.  
• Guardring for overvoltage protection.  
• Ultra high-speed switching.  
0.420(10.66)  
0.386(9.80)  
0.197(5.0)MAX  
0.055(1.40)  
0.043(1.10)  
• Silicon epitaxial planar chip, metal silicon junction.  
• Suffix "G" indicates Halogen-free part, ex.MBR3040CTG.  
• Lead-free parts meet environmental standards of  
MIL-STD-19500 /228  
0.226(5.75)MIN  
0.624(15.87)MAX  
0.155(3.94)  
MAX  
Marking code  
1
2
3
0.115(2.92)  
0.081(2.05)  
0.054(1.37)  
MAX  
0.038(0.96)  
0.020(0.50)  
0.500(12.70)MIN  
■ Mechanical data  
0.250(6.35)  
MIN  
• Epoxy : UL94-V0 rated flame retardant.  
• Case : JEDEC TO-220AB molded plastic body over  
passivated chip.  
0.110(2.80)  
0.091(2.30)  
0.028(0.70)  
0.011(0.28)  
• Lead : Axial leads, solderable per MIL-STD-202,  
Method 208 guranteed.  
PIN 1  
PIN 3  
PIN 2  
• Polarity: Color band denotes cathode end.  
• Mounting Position : Any.  
Dimensions in inches and (millimeters)  
• Weight : Approximated 2.25 gram.  
■ Maximum ratings and electrical characteristics  
Rating at 25OC ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
Parameter  
Conditions  
Symbol  
IO  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
30  
UNIT  
A
Forward rectified current  
See Fig.1  
8.3ms single half sine-wave superimposed on  
rate load (JEDEC method)  
Forward surge current  
IFSM  
200  
A
VR = VRRM TA = 25OC  
VR = VRRM TA = 125OC  
0.1  
10  
IR  
Reverse current  
mA  
CJ  
Diode junction capacitance  
Thermal resistance  
f=1MHz and applied 4V DC reverse voltage  
Junction to ambient  
150  
30  
pF  
OC/W  
OC  
RθJA  
TSTG  
Storage temperature  
-55  
+175  
Max.  
Max.  
Max.  
Max.  
RMS voltage  
VRMS (V)  
Max. DC  
blocking voltage  
VR (V)  
Operating  
temperature  
TJ (OC)  
forward voltage  
forward voltage  
repetitive peak  
reverse voltage  
VRRM (V)  
Symbol  
Marking code  
@15A, TA = 25OC @15A, TA = 125OC  
VF (V)  
VF (V)  
MBR3040CT  
MBR3045CT  
MBR3060CT  
MBR3065CT  
MBR3040CT  
MBR3045CT  
MBR3060CT  
MBR3065CT  
40  
45  
28  
31.5  
42  
40  
45  
0.70  
0.57  
60  
60  
-55 ~ +150  
-55 ~ +175  
0.79  
0.70  
65  
45.5  
70  
65  
MBR30100CT MBR30100CT  
MBR30150CT MBR30150CT  
MBR30200CT MBR30200CT  
100  
150  
200  
100  
150  
200  
0.81  
0.87  
0.90  
0.71  
0.77  
0.80  
105  
140  
Document ID : DS-11K59  
Issued Date : 2010/05/05  
Revised Date : 2012/05/31  
Revision : C1  
1
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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