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MBR2045CTPBF

更新时间： 2024-11-20 11:11:59
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威世 - VISHAY 二极管局域网
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7页 162K
描述
Schottky Rectifier, 2 x 10 A

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MBR2045CTPBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.25
其他特性：FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY应用：GENERAL PURPOSE
外壳连接：CATHODE配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.57 VJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：1060 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：10 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：45 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子面层：MATTE TIN (SN) - WITH NICKEL (NI) BARRIER端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
Base Number Matches：1

MBR2045CTPBF 数据手册

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VS-MBR20...CTPbF Series, VS-MBR20...CT-N3 Series  
www.vishay.com  
Vishay Semiconductors  
Schottky Rectifier, 2 x 10 A  
FEATURES  
Base  
common  
cathode  
2
• 150 °C TJ operation  
• Low forward voltage drop  
• High frequency operation  
• High  
purity,  
high  
temperature  
epoxy  
encapsulation for enhanced mechanical  
strength and moisture resistance  
Anode  
Anode  
2
Common  
cathode  
1
3
• Guard ring for enhanced ruggedness and long  
term reliability  
TO-220AB  
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
PRODUCT SUMMARY  
• Designed and qualified according to JEDEC-JESD47  
Package  
TO-220AB  
2 x 10 A  
35 V, 45 V  
0.57 V  
• Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition  
(-N3 only)  
IF(AV)  
VR  
DESCRIPTION  
VF at IF  
This center tap Schottky rectifier has been optimized for low  
reverse leakage at high temperature. The proprietary barrier  
technology allows for reliable operation up to 150 °C  
junction temperature. Typical applications are in switching  
power supplies, converters, freewheeling diodes, and  
reverse battery protection.  
I
RM max.  
15 mA at 125 °C  
150 °C  
TJ max.  
Diode variation  
EAS  
Common cathode  
8 mJ  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
IF(AV)  
VRRM  
IFRM  
IFSM  
CHARACTERISTICS  
VALUES  
20  
UNITS  
Rectangular waveform (per device)  
A
V
35/45  
20  
TC = 135 °C (per leg)  
tp = 5 μs sine  
A
1060  
VF  
10 Apk, TJ = 125 °C  
Range  
0.57  
V
TJ  
- 65 to 150  
°C  
VOLTAGE RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL VS-MBR2035CTPbF VS-MBR2035CT-N3 VS-MBR2045CTPbF VS-MBR2045CT-N3 UNITS  
Maximum DC reverse  
voltage  
VR  
35  
35  
45  
45  
V
Maximumworkingpeak  
reverse voltage  
VRWM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
VALUES UNITS  
per leg  
10  
20  
20  
Maximum average  
forward current  
IF(AV)  
TC = 135 °C, rated VR  
per device  
Peak repetitive forward current per leg  
IFRM  
Rated VR, square wave, 20 kHz, TC = 135 °C  
Following any rated load  
5 µs sine or 3 µs rect. pulse condition and with rated VRRM  
1060  
150  
A
applied  
Non-repetitive peak surge current  
IFSM  
Surge applied at rated load condition half wave,  
single phase, 60 Hz  
Current decaying linearly to zero in 1 μs  
Frequency limited by TJ maximum VA = 1.5 x VR typical  
Repetitive avalanche current per leg  
IAR  
2
8
Non-repetitive avalanche energy per leg  
EAS  
TJ = 25 °C, IAS = 2 A, L = 4 mH  
mJ  
Revision: 29-Aug-11  
Document Number: 94288  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MBR2045CTPG ONSEMI

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 		20A, 45V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, PLASTIC, CASE 221A-09, 4 PIN
MBR2045CTR THINKISEMI

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MBR2045CTS YANGJIE

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