Datasheet > 二极管 > 整流二极管> MBR20120FCT-BP

MBR20120FCT-BP

更新时间： 2024-11-06 12:58:15

品牌	Logo	应用领域
美微科 - MCC		高压
页数	文件大小	规格书
2页	679K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 20A, 120V V(RRM), Silicon, TO-220AB, PLASTIC, ITO-220AB, 3 PIN

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MBR20120FCT-BP 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	PLASTIC, ITO-220AB, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.51
Is Samacsys：	N	应用：	HIGH VOLTAGE POWER
外壳连接：	ISOLATED	配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值正向电流：	150 A	元件数量：	2
相数：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-50 °C
最大输出电流：	20 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	120 V	表面贴装：	NO
技术：	SCHOTTKY	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

MBR20120FCT-BP 数据手册

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Micro Commercial Components

MBR20120CT

ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ

20 Amp High Voltage

Power Schottky

Barrier Rectifier

120Volts

Features

High Junction Temperature Capability

Good Trade Off Between Leakage Cur-

rent And Forward Volage Drop

Low Leakage Current

Maximum Ratings

Operating Junction Temperature : 150°C

Storage Temperature: - 5 0 °C to +150°C

Per d iodeThermal Resistance 2.2°C/W Junction to Case

TO-220AB

MCC

Catalog

Number

Maximum

Re current

Peak Reverse

Voltage

Maximum Maximum

RMS

Voltage

Blocking

Voltage

120V

MBR 20120 CT

120 V

84V

Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified

PIN 1

PIN 3

PIN 2

CASE

Average Forward

Current

I_F(AV)

20 A

T_C= 120°C

Peak Forward Surge

Current

I_FSM

150A

8.3ms,half

sine wave

Maximum

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢁꢆꢄꢅ

Instantaneous

Forward Voltage

ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ

INCHES

ꢁꢂꢃ

ꢃꢂꢄ

.570

.380

.100

ꢃꢅꢆ

ꢃꢂꢄ

14.48

9.66

ꢃꢅꢆ

15.75

10.28

3.04

ꢄꢇꢈꢉ

I_FM= 10A

V_F

.83V

.620

.405

.120

T^J= 100°C

2.54

.235

.335

.255

.365

5.97

8.51

6.48

9.27

.110

.500

.155

.562

2.80

12.70

3.93

14.27

.095

.105

2.42

2.66

.025

.016

.035

.025

0.64

0.41

0.89

0.64

.142

.160

.045

.147

.190

.055

3.61

4.06

1.14

3.73

4.82

1.39

Maximum

Reverse Current At

Rated DC Blocking

I_R

500 µ A

T_J= 25°C

0.102ty p.

2.6typ .

*Pulse Test: Pulse Width380msec, Duty Cycle 2%

www.mccsemi.com

Revision: 2

2003/07/07

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MBR20120L	BYTESONIC	获取价格	LOW VF SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
MBR20120LCT	BYTESONIC	获取价格	LOW VF SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
MBR20120LFCT	BYTESONIC	获取价格	LOW VF SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
MBR20125C	UTC	获取价格	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
MBR20125CG-TA3-T	UTC	获取价格	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
MBR20125CG-TF3-T	UTC	获取价格	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
MBR20125CL-TA3-T	UTC	获取价格	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
MBR20125CL-TF3-T	UTC	获取价格	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
MBR20130C	UTC	获取价格	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
MBR20130CG-TA3-T	UTC	获取价格	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

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