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MBR16150FCT PDF预览

MBR16150FCT

更新时间： 2024-09-23 11:12:03
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强茂 - PANJIT 肖特基二极管瞄准线分离技术隔离技术功效局域网
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2页 89K
描述
ISOLATION SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS

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MBR16150FCT 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-220AB
包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC, ITO-220AB, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.44
其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS应用：EFFICIENCY
外壳连接：ISOLATED配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流：150 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：16 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：150 V表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

MBR16150FCT 数据手册

 浏览型号MBR16150FCT的Datasheet PDF文件第2页 
MBR1640FCT~MBR16200FCT  
ISOLATION SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS  
40 to 200 Volts  
VOLTAGE  
CURRENT 16 Amperes  
FEATURES  
• Plastic package has Underwriters Laboratory  
Flammability Classification 94V-O utilizing  
Flame Retardant Epoxy Molding Compound.  
• Exceeds environmental standards of MIL-S-19500/228  
• Low power loss, high efficiency.  
• Low forwrd voltge, high current capability  
• High surge capacity.  
• For use in low voltage,high frequency inverters  
free wheeling , and polarlity protection applications.  
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives  
MECHANICALDATA  
• Case: ITO-220AB full molded plastic package  
• Terminals: Lead solderable per MIL-STD-750, Method 2026  
• Polarity: As marked.  
.027(.67)  
.022(.57)  
• Mounting Position: Any  
• Weight: 0.055 ounces, 1.5615 grams.  
MAXIMUM RATINGS  
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%  
MBR1640FCT  
40  
MBR1645FCT  
45  
MBR1650FCT  
50  
MBR1660FCT  
60  
MBR1680FCT  
80  
MBR1690FCT MBR16100FCT MBR16150FCT MBR16200FCT  
PARAMETER  
SYMBOL  
VR  
UNITS  
V
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
90  
63  
90  
100  
70  
150  
105  
150  
200  
140  
200  
R
M
Maximum RMS Voltage  
VR  
28  
40  
31.5  
45  
35  
50  
42  
60  
56  
V
V
M
S
Maximum DC Blocking Voltage  
Maximum Average Forward (See Figure 1)  
VD  
80  
100  
C
IF  
16  
150  
A
( A V  
)
Peak Forward Surge Current  
: 8.3ms single half sine-wave  
IF  
A
S
M
superimposed on rated load(JEDEC method)  
Maximum Forward Voltage at 8.0A per leg  
VF  
IR  
0.70  
0.75  
0.80  
0.90  
V
Maximum DC Reverse Current at TJ =25O  
C
0.05  
20  
mA  
Rated DC Blocking Voltag TJ =100O  
C
O C  
W
/
Typical Thermal Resistance  
Rθ J C  
2.0  
O C  
-55 to +150  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
TJ ,TS  
-65 to +175  
T G  
NOTES : Both Bonding and Chip structure are available.  
STAD-APR.30.2009  
PAGE . 1  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MBR16150PT DSK

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