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MBR16200CT PDF预览

MBR16200CT

更新时间： 2024-11-11 12:20:07
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强茂 - PANJIT 二极管瞄准线功效局域网
页数 文件大小 规格书
2页 86K
描述
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS

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MBR16200CT 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
零件包装代码：TO-220AB包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.37Is Samacsys：N
其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS应用：EFFICIENCY
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3最大非重复峰值正向电流：150 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：16 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：200 V表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

MBR16200CT 数据手册

 浏览型号MBR16200CT的Datasheet PDF文件第2页 
MBR1640CT~MBR16200CT  
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS  
40 to 200 Volts  
VOLTAGE  
CURRENT 16 Amperes  
FEATURES  
• Plastic package has Underwriters Laboratory  
Flammability Classification 94V-O utilizing  
Flame Retardant Epoxy Molding Compound.  
• Exceeds environmental standards of MIL-S-19500/228  
• Low power loss, high efficiency.  
• Low forwrd voltge, high current capability  
• High surge capacity.  
• For use in low voltage,high frequency inverters  
free wheeling , and polarlity protection applications.  
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives  
.058(1.47)  
.042(1.07)  
MECHANICALDATA  
• Case: TO-220AB molded plastic package  
• Terminals: Lead solderable per MIL-STD-750, Method 2026  
• Polarity: As marked.  
• Mounting Position: Any  
• Weight: 0.0655 ounces, 1.859 grams.  
MAXIMUM RATINGS  
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%  
MBR1640CT  
40  
MBR1645CT  
45  
MBR1650CT  
50  
MBR1660CT  
60  
MBR1680CT  
80  
MBR1690CT  
90  
MBR16100CT  
100  
MBR16150CT  
150  
MBR16200CT  
200  
PARAMETER  
SYMBOL  
VR  
UNITS  
V
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
R
M
Maximum RMS Voltage  
VR  
28  
40  
31.5  
45  
35  
50  
42  
60  
56  
63  
90  
70  
105  
150  
140  
200  
V
V
M
S
Maximum DC Blocking Voltage  
Maximum Average Forward (See Figure 1)  
VD  
80  
100  
C
IF  
16  
150  
A
( A V  
)
Peak Forward Surge Current  
superimposed on rated load(JEDEC method)  
: 8.3ms single half sine-wave  
IF  
A
S
M
Maximum Forward Voltage at 8.0A per leg  
VF  
IR  
0.70  
0.75  
0.80  
0.90  
V
Maximum DC Reverse Current at TJ =25O  
C
0.05  
20  
mA  
Rated DC Blocking Voltag TJ =100O  
C
O C  
W
/
Typical Thermal Resistance  
Rθ J C  
2.0  
O C  
-55 to +150  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
TJ ,TS  
-65 to +175  
T G  
NOTES:Both Bonding and Chip structure are available.  
PAGE . 1  
STAD-APR.30.2009  
12

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