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MBR10H150CT_T0_00001

更新时间： 2024-09-28 01:11:03
品牌 Logo 应用领域
强茂 - PANJIT 局域网功效瞄准线二极管
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7页 712K
描述
ULTRA LOW IR SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS

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MBR10H150CT_T0_00001 技术参数

生命周期：ActiveReach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.66其他特性：LOW POWER LOSS
应用：EFFICIENCY外壳连接：ISOLATED
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.85 V
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流：120 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：5 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压：150 V最大反向电流：0.5 µA
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
Base Number Matches：1

MBR10H150CT_T0_00001 数据手册

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PBD10H150CS \ MBR10H150CT \ MBR10H150FCT \ MBR10H150DC SERIES  
ULTRA LOW IR SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS  
150 V  
10 A  
Voltage  
Current  
TO-252  
Features  
Plastic package has Underwriters Laboratory  
Flammability Classification 94V-O.  
Flame Retardant Epoxy Molding Compound.  
Low power loss, high efficiency.  
TO-220AB  
High current capability  
High junction temperature capability  
Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive  
Green molding compound as per IEC61249 Std. .(Halogen Free)  
Mechanical Data  
ITO-220AB  
TO-263  
Case: TO-252, TO-220AB, ITO-220AB, TO-263 package  
Terminals: solder plated, solderable per MIL-STD-750,Method 2026  
TO-252 Weight: 0.0104 ounces, 0.297 grams  
TO-220AB Weight: 0.067 ounces, 1.89 grams.  
ITO-220AB Weight: 0.056 ounces, 1.6 grams.  
TO-263 Weight: 0.051 ounces, 1.46 grams.  
150V  
BD10H150CS  
Marking: Part number  
TO-252  
TO-220AB MBR10H150CT  
ITO-220AB MBR10H150FCT  
TO-263  
MBR10H150DC  
Maximum Ratings And Electrical Characteristics (TA=25oC unless otherwise noted)  
PARAMETER  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum rms voltage  
SYMBOL  
VRRM  
VRMS  
UNIT  
150V  
150  
105  
150  
10  
V
V
V
Maximum dc blocking voltage  
VR  
Maximum average forward rectified per device  
IF(AV)  
A
A
current  
per diode  
5
Peak forward surge current : 8.3ms single half sine-  
wave superimposed on rated load per diode  
IFSM  
VF  
120  
Maximum forward voltage at 5A per diode  
0.85  
V
Maximum dc reverse current  
at rated dc blocking voltage  
TJ =25 oC  
TJ =125 oC  
0.5  
A  
mA  
IR  
1
TO-252 (Note 1)  
TO-220AB(Note 1)  
TO-263(Note 1)  
ITO-220AB(Note 1)  
6
3
Typical thermal resistance  
RθJC  
oC/W  
3
7
Operating junction temperature range  
Storage temperature range  
TJ  
-55 to +175  
-55 to +175  
oC  
oC  
TSTG  
Note : 1. Device mounted on a infinite heatsink, then measured the center of the marking side.  
October 13,2016-REV.02  
Page 1  
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