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MBR10H200CT(TO-220&220FP&263)

更新时间： 2024-11-19 17:01:27
品牌 Logo 应用领域
深爱 - SISEMIC 功效
页数 文件大小 规格书
5页 373K
描述
抗高浪性能 高功效 低正向电压 大电流 低功耗 符合RoHS规范

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MBR10H200CT(TO-220&220FP&263) 数据手册

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深圳深爱半导体股份有限公司  
产品规格书  
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD.  
Product Specification  
肖特基二极管/Power Schottky Rectifier  
MBR10H200CT  
●特点： 抗高浪性能  
高功效 低正向电压 大电流  
低功耗  
符合 RoHS 规范  
●FEATURES：■HIGH SURGE CAPABILITY ■HIGH EFFICIENCY ■LOW FORWARD VOLTAGE  
■HIGH CURRENT CAPABILITY ■LOW POWER LOSS ■RoHS COMPLIANT  
●应用：低压高频逆变电路 续流电流 保护电流  
●APPLICATION: ■LOW VOLTAGE,HIGH FREQUENCY INVERTERS  
■POLARITY PROTECTION APPLICATIONS  
■FREE WHEELING  
●最大额定值（Tc=25C）  
●Absolute Maximum Ratings（Tc=25C）  
TO-220/220FP/263  
参数  
PARAMETER  
符号  
SYMBOL  
额定值  
VALUE  
单位  
UNIT  
V
反向重复峰值电压  
VRRM  
VR  
100  
100  
Repetitive Peak Reverse Voltage  
最大直流阻断电压  
Maximum DC Reverse Voltage  
平均整流输出电流  
V
A
Average Rectified Output Current  
@Tc=125C  
IF(AV)  
10  
正向峰值浪涌电流  
Peak Forward Surge Current  
8.3ms Single half sine-wave  
superimposed on rated load  
(JEDEC Method)  
IFSM  
200  
A
最高结温  
Maximum Operating Junction  
Temperature  
Tj  
175  
℃
℃
贮存温度  
Tstg  
-50-175  
Storage Temperature  
●电特性（Tc=25C） Electronic Characteristics（Tc=25C）  
参数名称  
CHARACTERISTICS  
符号  
SYMBOL  
测试条件  
最小值  
MIN  
典型值 最大值  
单位  
UNIT  
TEST CONDITION  
@IF=5A,Tc=25C  
@IF=5A,Tc=125C  
@IF=10A,Tc=25C  
@IF=10A,Tc=125C  
@Tc=25  
TYP  
MAX  
0.90  
0.75  
0.98  
0.86  
0.05  
5
正向压降  
Forward Voltage Drop  
VFM  
V
反向电流  
Peak Reverse Current @ Rated VR  
IRM  
mA  
@Tc=125C  
●热特性 Thermal Characteristics  
项目  
符
号
最大值  
VALUE  
单
UNIT  
位
PARAMETER  
SYMBOL  
TO-220： 2.2  
TO-220FP：5.0  
TO-263： 2.2  
热阻结-壳  
Thermal Resistance Junction-case  
RthJC  
℃/W  
●订单信息/ORDERING INFORMATION:  
包装形式/PACKING  
订货编码/ORDERING CODE  
普通塑封料/ Normal Package Material  
无卤塑封料/Halogen Free  
MBR10H200CT TO-220-TU-HF  
MBR10H200CT TO-220FP-TU-HF  
MBR10H200CT TO-263-TU-HF  
TO-220 条管装/TUBE PACKING  
TO-220FP 条管装/TUBE PACKING  
TO-263 条管装/TUBE PACKING  
MBR10H200CT TO-220-TU  
MBR10H200CT TO-220FP-TU  
MBR10H200CT TO-263-TU  
1
Si semiconductors 2018.01  
12345

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