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MBR1090

更新时间： 2024-02-18 05:14:37
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鲁光 - LGE 二极管瞄准线功效局域网
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2页 238K
描述
Schottky Barrier Rectifiers

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MBR1090 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：TO-220AC包装说明：LEAD FREE, PLASTIC, CASE 221B-04, 2 PIN
针数：2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
Factory Lead Time：2 weeks风险等级：1.45
Is Samacsys：N其他特性：LOW POWER LOSS
应用：EFFICIENCY外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.95 V
JEDEC-95代码：TO-220ACJESD-30 代码：R-PSFM-T2
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：150 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：10 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：90 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：40Base Number Matches：1

MBR1090 数据手册

 浏览型号MBR1090的Datasheet PDF文件第2页 
MBR1020-MBR10100  
Schottky Barrier Rectifiers  
VOLTAGE RANGE: 30 - 100 V  
CURRENT: 10 A  
TO-220AC  
Features  
4.5± 0.2  
10.2± 0.2  
1.4± 0.2  
High surge capacity.  
φ 3.8± 0.15  
For use in low voltage, high frequency inverters, free  
wheeling, and polarity protection applications.  
111  
Metal silicon junction, majority carrier conduction.  
High current capacity, low forward voltage drop.  
Guard ring for over voltage protection.  
PIN  
2
1
2.6± 0.2  
Mechanical Data  
0.9± 0.1  
Case:JEDEC TO-220AC,molded plastic body  
0.5± 0.1  
5.0± 0.1  
Polarity: As marked  
Position: Any  
Weight: 0.069 ounces,1.96 gram  
Dimensions in millimeters  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
ambient temperature unless otherwise specified.  
Ratings at 25  
Single phase,half wave,60Hz,resistive or inductive load.For capactive load,derate current by 20%.  
MBR MBR MBR MBR MBR MBR MBR MBR MBR  
1020 1030 1035 1040 1045 1050 1060 1090 10100  
UNITS  
Maximum recurrent peak reverse voltage  
Maximum RMS Voltage  
VRRM 20  
VRMS 14  
30  
21  
30  
35  
25  
35  
40  
28  
40  
45  
32  
45  
50  
35  
50  
60  
42  
60  
90  
63  
90  
100  
70  
V
V
V
Maximum DC blocking voltage  
VDC  
20  
100  
Maximum average forw ard total device  
IF(AV)  
10  
A
A
m rectified current @TC = 125°C  
Peak forw ard surge current 8.3ms single half  
IFSM  
150  
b
sine-wave superimposed on rated load  
Maximum forw ard  
voltage  
(IF=10A,TC=25  
(IF=10A,TC=125  
(I F=20A,TC=25  
(IF=20A,TC=125  
)
0.80  
0.80  
-
)
0.57  
0.84  
0.72  
0.70  
0.95  
0.65  
0.95  
V
VF  
(Note 1)  
)
)
0.85  
0.75  
Maximum reverse current  
at rated DC blocking voltage  
@TC=25  
0.1  
IR  
m A  
@TC=125  
15  
6.03)  
Maximum thermal resistance (Note2)  
RθJC  
TJ  
2.0  
/W  
Operating junction temperature range  
- 55 ---- + 150  
- 55 ---- + 150  
Storage temperature range  
TSTG  
NOTE: 1. Pulse test:300μs pulse width,1% duty cy cle.  
2. Thermal resistance from junction to case.  
3.TC=100  
http://www.luguang.cn  
mail:lge@luguang.cn  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MBR1090/45 VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 10A, 90V V(RRM),
MBR1090/45-E3 VISHAY

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 		DIODE 10 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode
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