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MBR1090CT

更新时间： 2024-01-09 16:32:22
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 二极管瞄准线高压功效局域网
页数 文件大小 规格书
5页 134K
描述
Dual Common-Cathode High Voltage Schottky Rectifier

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MBR1090CT 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：TO-220AC包装说明：LEAD FREE, PLASTIC, CASE 221B-04, 2 PIN
针数：2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
Factory Lead Time：2 weeks风险等级：1.45
Is Samacsys：N其他特性：LOW POWER LOSS
应用：EFFICIENCY外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.95 V
JEDEC-95代码：TO-220ACJESD-30 代码：R-PSFM-T2
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：150 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：10 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：90 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：40Base Number Matches：1

MBR1090CT 数据手册

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New Product  
MBR1090CT, MBR10100CT  
Vishay General Semiconductor  
Dual Common-Cathode High Voltage Schottky Rectifier  
FEATURES  
• Trench MOS Schottky technology  
TMBS®  
TO-220AB  
• Lower power losses, high efficiency  
• Low forward voltage drop  
• High forward surge capability  
• High frequency operation  
• Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s,  
3
per JESD 22-B106  
2
1
• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC and in  
accordance to WEEE 2002/96/EC  
PIN 1  
PIN 3  
PIN 2  
CASE  
TYPICAL APPLICATIONS  
For use in high frequency rectifier of switching mode  
power supplies, freewheeling diodes, dc-to-dc  
converters or polarity protection application  
MECHANICAL DATA  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
Case: TO-220AB  
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability  
rating  
Base P/N-E3 - RoHS compliant, commercial grade  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD 22-B102  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
2 x 5.0 A  
90 V, 100 V  
120 A  
VF  
0.75 V  
TJ max.  
150 °C  
E3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test  
Polarity: As marked  
Mounting Torque: 10 in-lbs maximum  
MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C unless otherwise noted)  
C
PARAMETER  
SYMBOL  
VRRM  
MBR1090CT MBR10100CT  
UNIT  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Working peak reverse voltage  
Maximum DC blocking voltage  
90  
90  
90  
100  
100  
100  
V
V
V
VRWM  
VDC  
total device  
Maximum average forward rectified current at TC = 105 °C  
per diode  
10  
5.0  
IF(AV)  
IFSM  
EAS  
A
A
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave superimposed  
on rated load per diode  
120  
60  
Non-repetitive avalanche energy  
at TJ = 25 °C, L = 60 mH per diode  
mJ  
A
Peak repetitive reverse current at tp = 2 µs, 1 kHz,  
TJ = 38 °C 2 °C per diode  
IRRM  
0.5  
Voltage rate of change (rated VR)  
dV/dt  
10 000  
V/µs  
°C  
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
- 65 to + 150  
Document Number: 89125  
Revision: 26-Apr-10  
For technical questions within your region, please contact one of the following:  
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
www.vishay.com  
1
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MBR1090CT_10 VISHAY

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 		Dual Common-Cathode High Voltage Schottky Rectifier
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 		10 AMPERES SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
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