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MBR1090-E3/4W

更新时间： 2024-09-23 19:54:23
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 局域网功效瞄准线二极管
页数 文件大小 规格书
5页 139K
描述
DIODE 10 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode

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MBR1090-E3/4W 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-220AC
包装说明：R-PSFM-T2针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.27
其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS应用：EFFICIENCY
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.65 VJEDEC-95代码：TO-220AC
JESD-30 代码：R-PSFM-T2JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：150 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：10 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：90 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
Base Number Matches：1

MBR1090-E3/4W 数据手册

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MBR10xxx-E3, MBRF10xxx-E3, MBRB10xxx-E3  
www.vishay.com  
Vishay General Semiconductor  
High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier  
FEATURES  
TMBS®  
• Trench MOS Schottky technology  
TO-220AC  
ITO-220AC  
• Lower power losses, high efficiency  
• Low forward voltage drop  
• High forward surge capability  
• High frequency operation  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of  
245 °C (for TO-263AB package)  
2
2
1
1
MBR1090  
MBR10100  
PIN 1  
MBRF1090  
• Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per  
JESD 22-B106 (for TO-220AC and ITO-220AC package)  
MBRF10100  
PIN 1  
• Material categorization: for definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
CASE  
PIN 2  
PIN 2  
TO-263AB  
K
TYPICAL APPLICATIONS  
For use in high frequency rectifier of switching mode power  
supplies, freewheeling diodes, DC/DC converters or polarity  
protection application.  
2
1
MBRB1090  
MBRB10100  
PIN 1  
K
MECHANICAL DATA  
PIN 2  
HEATSINK  
Case: TO-220AC, ITO-220AC, TO-263AB  
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating  
Base P/N-E3 - RoHS-compliant, commercial grade  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
10 A  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD 22-B102  
E3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test  
VRRM  
90 V to 100 V  
150 A  
IFSM  
VF  
0.65 V  
Polarity: As marked  
TJ max.  
Package  
Diode variations  
150 °C  
Mounting Torque: 10 in-lbs maximum  
TO-220AC, ITO-220AC, TO-263AB  
Single die  
MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
MBR1090  
MBR10100  
100  
UNIT  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Working peak reverse voltage  
VRRM  
VRWM  
VDC  
90  
90  
90  
V
V
V
A
100  
Maximum DC blocking voltage  
100  
Maximum average forward rectified current at TC = 133 °C  
IF(AV)  
10  
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load  
IFSM  
EAS  
150  
130  
0.5  
A
mJ  
A
Non-repetitive avalanche energy at TJ = 25 °C, L = 60 mH  
Peak repetitive reverse current at tp = 2 μs, 1 kHz,  
TJ = 38 °C 2 °C per diode  
IRRM  
Voltage rate of change (rated VR)  
dV/dt  
VAC  
10 000  
1500  
V/μs  
V
Isolation voltage (ITO-220AC only) from terminal to heatsink t = 1 min  
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
-65 to +150  
°C  
Revision: 10-May-16  
Document Number: 89034  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		暂无描述
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 		DIODE 10 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLA

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