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MBR1090F

更新时间： 2024-02-01 06:55:27

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ASEMI		二极管瞄准线高压功效局域网
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3页	518K
描述
MBR1090FDual High-Voltage Schottky Rectifiers

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MBR1090F 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-220AC	包装说明：	LEAD FREE, PLASTIC, CASE 221B-04, 2 PIN
针数：	2	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
Factory Lead Time：	2 weeks	风险等级：	1.45
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOW POWER LOSS
应用：	EFFICIENCY	外壳连接：	CATHODE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.95 V
JEDEC-95代码：	TO-220AC	JESD-30 代码：	R-PSFM-T2
JESD-609代码：	e3	最大非重复峰值正向电流：	150 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
最低工作温度：	-65 °C	最大输出电流：	10 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	90 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
技术：	SCHOTTKY	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	Base Number Matches：	1

MBR1090F 数据手册

MBR1080 THUR MBR10100

Dual High-Voltage Schottky Rectifiers

REV:1.01

◆ Half Bridge Rectified、Common Cathode Structure.

◆ Multilayer Metal -Silicon Potential Structure.

◆ Low Power Waste，High Efficiency.

Typical Reference

Data

VRRM= 80V

IF(AV)= 10A

◆ Beautiful High Temperature Character.

◆ Have Over Voltage protect loop，high reliability.

◆ RoHs Product.

VRRM= 90V

IF(AV)= 10A

● Low Voltage High Frequency Switching Power Supply.

● Low Voltage High Frequency Invers Circuit.

VRRM= 100V

IF(AV)= 10A

● Low Voltage Continued Circuit and Protection Circuit.

■ MBR1080、MBR1090、MBR10100 Schottky diode,in the

manufacture uses the main process technology includes:

Silicon epitaxial substrate, P+ loop technology,The

potential metal and the silicon alloy technology, the

device uses the two chip, the common cathode, the plastic

package structure.

Polarity

Absolute Maximum Ratings

Item

Maximal Inverted Repetitive Peak Voltage

Maximal DC Interdiction Voltage

MBR10100

100

Symbol MBR1080 MBR1090

Unit

VRRM

VDC

100

Average Rectified Forward Current TC=150℃

Device

Whole

IFAV

Unilateral

Forward Peak Surge Current(Rated Load 8.3 Half

Mssine Wave-According to JEDEC Method)

150

IFSM

Operating Junction Temperature

Storage Temperature

-40- +175

℃

TSTG

Electricity Character

Represent

ative

Test Condition

Item

Minimum

MBR1080 MBR1090MBR10100 Unit

100

TJ =25℃

TJ =125℃

VF TJ =25℃

VR=VRRM

IF=5A

0.84 0.85 0.86

www.asemi.tw

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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MBR1090G	KERSEMI	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS 10 AMPERES, 60 to 100 VOLTS	获取价格
MBR1090G	ONSEMI	SWITCHMODE Power Rectifiers	获取价格
MBR1090-M3/4W	VISHAY	DIODE 10 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLA	获取价格