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MBR1070 PDF预览

MBR1070

更新时间： 2024-02-09 19:45:04
品牌 Logo 应用领域
SIRECTIFIER 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 81K
描述
肖特基势垒二极管Schottky Barrier Diodes，高结温低漏电流肖特基势垒二极管High Tjm Low IRRM Schottky Barrier Diodes，Tj = -65°C ~ 175°C, Tjm = 175°C。

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MBR1070 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.7
Is Samacsys：N应用：GENERAL PURPOSE
外壳连接：CATHODE配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.95 VJEDEC-95代码：TO-220AC
JESD-30 代码：R-PSFM-T2最大非重复峰值正向电流：150 A
元件数量：2相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：5 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：70 V最大反向电流：100 µA
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

MBR1070 数据手册

 浏览型号MBR1070的Datasheet PDF文件第2页 
MBR1070 thru MBR10100  
Wide Temperature Range and High Tjm Schottky Barrier Rectifiers  
Dimensions TO-220AC  
Dim.  
Inches  
Min. Max.  
Milimeter  
Min. Max.  
A
C
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
Q
0.500 0.580  
0.560 0.650  
0.380 0.420  
0.139 0.161  
2.300 0.420  
0.100 0.135  
0.045 0.070  
12.70 14.73  
14.23 16.51  
9.66 10.66  
A
C
C(TAB)  
3.54  
5.85  
2.54  
1.15  
-
4.08  
6.85  
3.42  
1.77  
6.35  
0.89  
5.33  
4.82  
0.56  
2.49  
1.39  
A=Anode, C=Cathode, TAB=Cathode  
VRRM  
V
VRMS  
V
VDC  
V
-
0.250  
0.025 0.035  
0.190 0.210  
0.140 0.190  
0.015 0.022  
0.080 0.115  
0.025 0.055  
0.64  
4.83  
3.56  
0.38  
2.04  
0.64  
MBR1070  
MBR1080  
MBR1090  
MBR10100  
70  
49  
56  
63  
70  
70  
80  
80  
90  
90  
100  
100  
Symbol  
Characteristics  
Maximum Ratings  
Unit  
I(AV)  
Maximum Average Forward Rectified Current @TC=135oC  
10  
A
A
Peak Forward Surge Current 8.3ms Single Half-Sine-Wave  
Superimposed On Rated Load (JEDEC METHOD)  
IFSM  
150  
dv/dt  
Voltage Rate Of Change (Rated VR)  
10000  
V/us  
IF=10A @TJ=25oC  
Maximum Forward  
0.85  
0.75  
0.80  
VF  
IF=10A @TJ=125oC  
V
Voltage (Note 1)  
IF=20A @TJ=125oC  
Maximum DC Reverse Current  
At Rated DC Blocking Voltage  
@TJ=25oC  
0.1  
100  
IR  
mA  
@TJ=125oC  
2.0  
oC/W  
pF  
oC  
ROJC  
CJ  
Typical Thermal Resistance (Note 2)  
Typical Junction Capacitance (Note 3)  
Operating Temperature Range  
Storage Temperature Range  
1100  
-55 to +150  
-55 to +175  
TJ  
TSTG  
oC  
NOTES: 1. 300us Pulse Width, Duty Cycle 2%.  
2. Thermal Resistance Junction To Case.  
3. Measured At 1.0MHz And Applied Reverse Voltage Of 4.0V DC.  
FEATURES  
MECHANICAL DATA  
* Metal of silicon rectifier, majority carrier conducton  
* Guard ring for transient protection  
* Low power loss, high efficiency  
* High current capability, low VF  
* Case: TO-220AC molded plastic  
* Polarity: As marked on the body  
* Weight: 0.08 ounces, 2.24 grams  
* Mounting position: Any  
* High surge capacity  
* For use in low voltage, high frequency inverters, free  
whelling, and polarity protection applications  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MBR1070CT DIODES

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 		10A HIGH VOLTAGE SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
MBR1070CT SIRECTIFIER

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 		肖特基势垒二极管Schottky Barrier Diodes，高结温低漏电流肖特基势垒二
MBR1070CT LUNSURE

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 		SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
MBR1070CT_1 DIODES

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 		10A HIGH VOLTAGE SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
MBR1070FCT CJ

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 5A, 70V V(RRM), Silicon, TO-220AB, PLASTIC,
MBR1080 LUNSURE

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 		10Amp schottky barrier rectifier 20to100 volts
MBR1080 HY

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 		SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
MBR1080 GXELECTRONICS

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 		Metal of silicon rectifier , majority carrier conduction
MBR1080 ONSEMI

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 		SWITCHMODE Power Rectifiers
MBR1080 PANJIT

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 		10 AMPERES SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS

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