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MBR1080

更新时间： 2024-11-27 12:29:47
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星合电子 - GXELECTRONICS 二极管瞄准线功效局域网
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描述
Metal of silicon rectifier , majority carrier conduction

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MBR1080 数据手册

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MBR1030 thru MBR10100  
星合 子  
XINGHE ELECTRONICS  
REVERSE VOLTAGE - 30 to 100Volts  
FORWARD CURRENT - 10.0 Amperes  
TO-220AC  
FEATURES  
.187(4.7)  
●Metal of silicon rectifier , majority carrier conduction  
.108  
(2.75)  
.148(3.8)  
.055(1.4)  
.047(1.2)  
.153(3.9)  
.146(3.7)  
.413(10.5)  
.374(9.5)  
●Guard ring for transient protection  
●Low power loss,high efficiency  
●High current capability,low VF  
.270(6.9)  
.230(5.8)  
●High surge capacity  
●Plastic package has UL flammability  
.610(15.5)  
.583(14.8)  
classification 94V-0  
●For use in low voltage,high frequency inverters,free  
wheeling,and polarity protection applications  
.04 MAX  
(1.0)  
.157  
(4.0)  
.583(14.8)  
.531(13.5)  
.051  
(1.3)  
MECHANICAL DATA  
●Case: TO-220AC molded plastic  
●Polarity: As marked on the body  
●Weight: 0.08ounces,2.24 grams  
●Mounting position :Any  
.043(1.1)  
.032(0.8)  
.024(0.6)  
.012(0.3)  
.102(2.6)  
.091(2.3)  
.126  
(3.2)  
Dimensions in inches and (millimeters)  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Rating at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave ,60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%  
SYMBOL MBR1030 MBR1040 MBR1050 MBR1060 MBR1080 MBR10100 UNIT  
CHARACTERISTICS  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
30  
21  
30  
40  
28  
40  
50  
35  
50  
60  
42  
60  
80  
56  
80  
100  
70  
V
V
V
Maximum DC Blocking Voltage  
100  
Maximum Average Forward  
I(AV)  
10.0  
150  
A
Rectified Current ( See Fig.1)  
Peak Forward Surge Current  
IFSM  
A
8.3ms Single Half Sine-Wave  
Super Imposed on Rated Load (JEDEC Method)  
0.70  
0.57  
0.84  
0.72  
0.1  
0.80  
0.70  
0.95  
0.85  
0.1  
0.85  
0.71  
-
Peak Forward Voltage (Note1)  
IF=10A @TJ=25℃  
IF=10A @TJ=125℃  
IF=20A @TJ=25℃  
IF=20A @TJ=125℃  
@TJ=25℃  
VF  
IR  
V
-
0.1  
6.0  
Maximum DC Reverse Current  
at Rated DC Bolcking Voltage  
mA  
15  
10  
@TJ=125℃  
400  
2.5  
1100  
2.0  
Typical Junction Capacitance (Note2)  
Typical Thermal Resistance (Note3)  
Operating Temperature Range  
Storage Temperature Range  
CJ  
RθJC  
TJ  
pF  
℃/W  
℃
-55 to +150  
-55 to +175  
TSTG  
℃
NOTES:1.300us pulse width,2% duty cycle.  
2.Measured at 1.0 MHZ and applied reverse voltage of 4.0V DC.  
3.Thermal resistance junction to case.  
1
GAOMI XINGHE ELECTRONICSCO.,LTD.  
WWW.SDDZG.COM  
TEL:0536-2210359  
QQ:464768017  
12

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