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MBR1070FCT

更新时间： 2024-11-24 19:54:59

品牌	Logo	应用领域
江苏长电/长晶 - CJ		局域网功效瞄准线二极管
页数	文件大小	规格书
3页	728K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 5A, 70V V(RRM), Silicon, TO-220AB, PLASTIC, TO-220F, 3 PIN

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MBR1070FCT 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.7
其他特性：	FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS	应用：	EFFICIENCY
外壳连接：	CATHODE	配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.95 V	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	最大非重复峰值正向电流：	120 A
元件数量：	2	相数：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	125 °C
最大输出电流：	5 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
最大功率耗散：	2 W	最大重复峰值反向电压：	70 V
最大反向电流：	100 µA	表面贴装：	NO
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	Base Number Matches：	1

MBR1070FCT 数据手册

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

TO-220F Plastic-Encapsulate Diodes

MBR1060, 70, 80, 90, 100FCT

SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

TO-220F

1. ANODE

2. CATHODE

3. ANODE

FEATURES

 Schottky Barrier Chip

 Guard Ring Die Construction for Transient Protection

 Low Power Loss,High Efficiency

 High Surge Capability

 High Current Capability and Low Forward Voltage Drop

 For Use in Low Voltage, High Frequency Inverters,Free Wheeling,

and Polarity Protection Applications

MAXIMUM RATINGS ( T_a=25℃ unless otherwise noted )

Value

Symbol

Parameter

Unit

MBR10

60FCT

MBR10

70FCT

MBR10

80FCT

MBR10

90FCT

MBR10

100FCT

Peak repetitive reverse voltage

Working peak reverse voltage

DC blocking voltage

V_RRM

V_RWM

V_R

100

RMS reverse voltage

V_R(RMS)

I_O

Average rectified output current

Non-Repetitive peak forward surge current

8.3ms half sine wave

120

I_FSM

Power dissipation

℃/W

℃

P_D

R_ΘJA

T_j

Thermal resistance from junction to ambient

Junction temperature

125

Storage temperature

-55~+150

T_stg

℃

C,Jan,2014

12 3

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