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MBR1060CT-B PDF预览

MBR1060CT-B

更新时间： 2024-02-08 19:24:58
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC /
页数 文件大小 规格书
3页 1487K
描述
Rectifier Diode,

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MBR1060CT-B 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.51JESD-609代码：e0
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)Base Number Matches：1

MBR1060CT-B 数据手册

 浏览型号MBR1060CT-B的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MBR1060CT-B的Datasheet PDF文件第3页 
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
MBR1030CT  
Micro Commercial Components  
THRU  
MBR1060CT  
Features  
·
·
Metal of silicon rectifier, majority carrier conduction  
Guard ring for transient protection  
Low power loss high efficiency  
10 Amp  
Schottky Barrier  
Rectifier  
·
·
•
High surge capacity, High current capability  
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
30-60 Volts  
Maximum Ratings  
·
·
Operating Temperature: -55°C to +150°C  
Storage Temperature: -55°C to +175°C  
TO-220AB  
:
MCC  
Catalog  
Number  
Device  
Marking  
Maximum  
Recurrent  
Peak  
Reverse  
Voltage  
30V  
Maximum Maximum  
B
L
RMS  
DC  
M
C
Voltage  
Blocking  
Voltage  
D
A
K
E
F
MBR1030CT MBR1030CT  
MBR1035CT MBR1035CT  
MBR1040CT MBR1040CT  
MBR1045CT MBR1045CT  
MBR1050CT MBR1050CT  
MBR1060CT MBR1060CT  
21V  
24.5V  
30V  
35V  
PIN  
35V  
40V  
45V  
50V  
60V  
28V  
40V  
45V  
50V  
60V  
31.5V  
35V  
G
I
42V  
J
N
H
H
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified  
Average Forward  
Current  
IF(AV)  
10A  
TC = 105°C  
PIN 1  
PIN 3  
PIN 2  
CASE  
Peak Forward Surge  
Current  
IFSM  
125A  
8.3ms, half sine  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢁꢆꢄꢅ  
Maximum Forward  
Voltage Drop Per  
Element  
ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ  
INCHES  
MM  
ꢁꢂꢃ  
A
B
C
D
E
ꢃꢂꢄ  
.560  
.380  
.100  
.230  
.380  
ꢃꢅꢆ  
ꢃꢂꢄ  
14.22  
9.65  
ꢃꢅꢆ  
15.88  
10.67  
3.43  
ꢄꢇꢈꢉ  
.625  
.420  
.135  
VF  
.70V  
.80V  
.57V  
.65V  
IFM = 5A  
MBR1030CT-45CT  
25°C  
TJ =  
IFM = 5A  
125°C  
2.54  
MBR1050CT-60CT  
MBR1030CT-45CT  
MBR1050CT-60CT  
.270  
.420  
5.84  
9.65  
6.86  
10.67  
6.35  
TJ =  
F
G
------  
.500  
.250  
.580  
------  
12.70  
14.73  
2.79  
1.14  
0.64  
4.09  
Maximum DC  
Reverse Current At  
Rated DC Blocking  
Voltage  
H
I
J
K
L
M
.090  
.020  
.012  
.139  
.140  
.045  
.110  
.045  
.025  
.161  
.190  
.055  
2.29  
0.51  
0.30  
3.53  
3.56  
1.14  
0.1mA TJ = 25°C  
IR  
TJ = 125°C  
15mA  
4.83  
1.40  
Typical Junction  
Capacitance  
N
.080  
.115  
2.03  
2.92  
CJ  
Measured at  
1.0MHz, VR=4.0V  
MBR1030CT-45CT  
MBR1050CT-60CT  
170pF  
220pF  
*Pulse test: Pulse width 300 msec, Duty cycle 2%  
www.mccsemi.com  
1 of 3  
Revision: 6  
2006/05/07  
123

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与MBR1060CT-B相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MBR1060CT-BP-HF MCC

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 5A, 60V V(RRM), Silicon, TO-220AB,
MBR1060CTC0 TSC

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MBR1060CTD DYELEC

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