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MBR1060CTC0G

更新时间： 2024-01-29 03:33:16
品牌 Logo 应用领域
TSC 局域网功效瞄准线二极管
页数 文件大小 规格书
4页 201K
描述
Dual Common Cathode Schottky Rectifier

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MBR1060CTC0G 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.09
Is Samacsys：N其他特性：LOW POWER LOSS
应用：EFFICIENCY外壳连接：CATHODE
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.9 V
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流：120 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：5 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压：60 V最大反向电流：100 µA
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLEBase Number Matches：1

MBR1060CTC0G 数据手册

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MBR1035CT thru MBR10200CT  
Taiwan Semiconductor  
CREAT BY ART  
Dual Common Cathode Schottky Rectifier  
FEATURES  
- Low power loss, high efficiency  
- Guardring for overvoltage protection  
- High surge current capability  
- Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and  
in accordance to WEEE 2002/96/EC  
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition  
TO-220AB  
MECHANICAL DATA  
Case: TO-220AB  
Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0  
Base P/N with suffix "G" on packing code - halogen-free  
Base P/N with prefix "H" on packing code - AEC-Q101 qualified  
Terminal: Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102  
Meet JESD 201 class 1A whisker test,  
with prefix "H" on packing code meet JESD 201 class 2 whisker test  
Polarity: As marked  
Mounting torque: 5 in-lbs maximum  
Weight: 1.88 g (approximately)  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25℃ unless otherwise noted)  
MBR MBR MBR MBR MBR MBR MBR MBR  
PARAMETER  
SYMBOL 1035 1045 1050 1060 1090 10100 10150 10200 UNIT  
CT  
35  
24  
35  
CT  
45  
31  
45  
CT  
50  
35  
50  
CT  
60  
42  
60  
CT  
90  
63  
90  
CT  
100  
70  
CT  
150  
105  
150  
CT  
200  
140  
200  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
V
V
V
A
Maximum DC blocking voltage  
100  
Maximum average forward rectified current  
IF(AV)  
10  
10  
Peak repetitive forward current  
(Rated VR, Square Wave, 20KHz)  
IFRM  
A
Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load  
IFSM  
IRRM  
120  
A
A
Peak repetitive reverse surge current (Note 1)  
1
0.5  
Maximum instantaneous forward voltage (Note 2)  
IF= 5 A, TJ=25℃  
0.70  
0.57  
0.80  
0.67  
0.80  
0.65  
0.90  
0.75  
0.85  
0.75  
0.95  
0.85  
0.88  
0.78  
0.98  
0.88  
IF= 5 A, TJ=125℃  
VF  
V
IF= 10 A, TJ=25℃  
IF= 10 A, TJ=125℃  
0.1  
Maximum reverse current @ rated VR TJ=25 ℃  
TJ=125 ℃  
IR  
mA  
15  
10  
2
5
Voltage rate of change (Rated VR)  
Typical thermal resistance  
10000  
1.5  
dV/dt  
RθJC  
TJ  
V/μs  
OC/W  
OC  
Operating junction temperature range  
Storage temperature range  
- 55 to +150  
- 55 to +150  
OC  
TSTG  
Note 1: tp = 2.0 μs, 1.0KHz  
Note 2: Pulse test with PW=300μs, 1% duty cycle  
Document Number: DS_D1308060  
Version: K13  
1234

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