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MBR1060

更新时间： 2024-06-27 12:08:29
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安邦 - ANBON /
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3页 1755K
描述
TO-220AC

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MBR1060 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：D2PAK, 2 PINReach Compliance Code：compliant
风险等级：5.44其他特性：FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流：150 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最大输出电流：10 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

MBR1060 数据手册

 浏览型号MBR1060的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MBR1060的Datasheet PDF文件第3页 
MBR1040 THRU MBR10200  
10A High Barrier Power Schottky  
Rectifiers - 40V-200V  
Features  
• 150°C operating junction temperature.  
• Low power loss, high efficiency.  
• High current capability  
Package outline  
TO-220AC  
• High surge capability.  
0.419(10.66)  
0.387(9.85)  
0.196(5.00)  
0.163(4.16)  
0.054(1.39)  
0.045(1.15)  
• Guardring for overvoltage protection.  
• Low stored charge majority carrier conduction  
• Silicon epitaxial planar chip, metal silicon junction.  
0.269(6.85)  
0.226(5.75)  
• Lead-free parts meet environmental standards of  
MIL-STD-19500 /228  
0.624(15.87)  
0.548(13.93)  
0.139(3.55)  
MIN  
• Suffix "-H" indicates Halogen-free parts, ex. ΜΒR1040-H.  
0.177(4.50)MAX  
Mechanical data  
• Epoxy : UL94-V0 rated flame retardant  
0.038(0.96)  
0.019(0.50)  
0.50(12.70)MIN  
.025(0.65)MAX  
• Case : JEDEC TO-220AC molded plastic body over  
passivated chip  
• Lead : Axial leads, solderable per MIL-STD-202,  
Method 208 guranteed  
0.1(2.54)  
• Polarity: As marked  
• Mounting Position : Any  
Dimensions in inches and (millimeters)  
Maximum ratings and Electrical Characteristics (AT TA=25oC unless otherwise noted)  
MAX.  
Symbol  
TYP.  
UNIT  
A
MIN.  
PARAMETER  
CONDITIONS  
IO  
10.0  
Forward rectified current  
See Fig.1  
8.3ms single half sine-wave  
(JEDEC methode)  
VR = VRRM TJ = 25OC  
VR = VRRM TJ = 125OC  
IFSM  
150  
Forward surge current  
Reverse current  
A
0.1  
15  
IR  
mA  
OC/W  
OC  
RθJC  
TSTG  
Thermal resistance  
Junction to case  
2.0  
Storage temperature range  
+175  
-65  
Operating  
*1  
*3  
VR  
(V)  
*4  
*2  
VRMS  
(V)  
temperature  
VF  
SYMBOLS  
VRRM  
(V)  
TJ, (OC)  
(V)  
40  
28  
40  
MBR1040  
MBR1045  
MBR1050  
MBR1060  
MBR1080  
MBR10100  
MBR10150  
MBR10200  
*1 Repetitive peak reverse voltage  
*2 RMS voltage  
0.70  
45  
31.5  
35  
45  
50  
50  
0.80  
*3 Continuous reverse voltage  
60  
42  
60  
-55 to +150  
80  
56  
80  
*4 Maximum forward voltage, @IF=10A, 25°C  
0.85  
0.95  
100  
150  
200  
70  
100  
150  
200  
105  
140  
http://www.anbonsemi.com  
TEL:886-755-23776891  
FAX:886-755-81482182  
Document ID  
AS-3060039  
Issued Date  
2003/03/08  
Revised Date  
2012/05/16  
Revision  
D
Page.  
3
Page 1  
123

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与MBR1060相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MBR1060/45 VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 10A, 60V V(RRM),
MBR1060-5410HE3/45 VISHAY

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 		DIODE SCHOTTKY ARRAY TO220AC
MBR1060BCT LGE

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 		10A Surface Mount High Power Schottky Barrier Rectifiers
MBR1060C UTC

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 		SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER DIODES
MBR1060C BCDSEMI

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 		HIGH VOLTAGE POWER SCHOTTKY RECTIFIER
MBR1060C RECTRON

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 		Reverse Voltage Vr : 60 V;Forward Current Io : 10.0 A;Max Surge Current : 100 A;Forward Vo
MBR1060C_08 UTC

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 		SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER DIODES
MBR1060C_15 UTC

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 		SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER DIODES
MBR1060C0 TSC

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 		Schottky Barrier Rectifier
MBR1060C0G TSC

获取价格

 		Schottky Barrier Rectifier

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