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MBR1060C0G PDF预览

MBR1060C0G

更新时间： 2024-11-25 01:08:55
品牌 Logo 应用领域
TSC 局域网功效瞄准线二极管
页数 文件大小 规格书
4页 236K
描述
Schottky Barrier Rectifier

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MBR1060C0G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：R-PSFM-T2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.13其他特性：LOW POWER LOSS
应用：EFFICIENCY外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.8 V
JEDEC-95代码：TO-220ACJESD-30 代码：R-PSFM-T2
最大非重复峰值正向电流：150 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：10 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压：60 V最大反向电流：100 µA
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLEBase Number Matches：1

MBR1060C0G 数据手册

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MBR1035 thru MBR10200  
Taiwan Semiconductor  
CREAT BY ART  
Schottky Barrier Rectifier  
FEATURES  
- Low power loss, high efficiency  
- Guardring for overvoltage protection  
- High surge current capability  
- Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and  
in accordance to WEEE 2002/96/EC  
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition  
TO-220AC  
MECHANICAL DATA  
Case: TO-220AC  
Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0  
Base P/N with suffix "G" on packing code - halogen-free  
Base P/N with prefix "H" on packing code - AEC-Q101 qualified  
Terminal: Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102  
Meet JESD 201 class 1A whisker test,  
with prefix "H" on packing code meet JESD 201 class 2 whisker test  
Polarity: As marked  
Mounting torque: 5 in-lbs maximum  
Weight: 1.88 g (approximately)  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25℃ unless otherwise noted)  
MBR  
MBR  
MBR  
MBR  
MBR  
MBR  
MBR  
MBR  
PARAMETER  
SYMBOL  
UNIT  
1035 1045 1050 1060 1090 10100 10150 10200  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
35  
24  
35  
45  
31  
45  
50  
35  
50  
60  
42  
60  
90  
63  
90  
100  
70  
150  
105  
150  
200  
140  
200  
V
V
V
A
Maximum DC blocking voltage  
100  
Maximum average forward rectified current  
IF(AV)  
10  
20  
Peak repetitive forward current  
(Rated VR, Square Wave, 20KHz)  
IFRM  
A
Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load  
IFSM  
IRRM  
VF  
150  
A
A
Peak repetitive reverse surge current (Note 1)  
1.0  
0.5  
Maximum instantaneous forward voltage (Note 2)  
IF=10A, TJ=25℃  
0.70  
0.57  
0.80  
0.70  
0.85  
0.71  
1.05  
-
V
IF=10A, TJ=125℃  
0.1  
Maximum reverse current @ rated VR TJ=25 ℃  
TJ=125 ℃  
IR  
mA  
15  
10  
6
Voltage rate of change (Rated VR)  
Typical thermal resistance  
10000  
3
dV/dt  
RθJC  
TJ  
V/μs  
OC/W  
OC  
Operating junction temperature range  
Storage temperature range  
- 55 to +150  
- 55 to +175  
OC  
TSTG  
Note 1: tp = 2.0 μs, 1.0KHz  
Note 2: Pulse test with PW=300μs, 1% duty cycle  
Document Number: DS_D1308050  
Version: L13  
1234

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