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MBR1060CT PDF预览

MBR1060CT

更新时间： 2024-02-11 21:37:09
品牌 Logo 应用领域
SIRECTIFIER 二极管瞄准线功效局域网
页数 文件大小 规格书
2页 103K
描述
肖特基势垒二极管Schottky Barrier Diodes，高结温低漏电流肖特基势垒二极管High Tjm Low IRRM Schottky Barrier Diodes，Tj = -65°C ~ 175°C, Tjm = 175°C。

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MBR1060CT 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：D2PAK, 2 PINReach Compliance Code：compliant
风险等级：5.44其他特性：FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流：150 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最大输出电流：10 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

MBR1060CT 数据手册

 浏览型号MBR1060CT的Datasheet PDF文件第2页 
MBR1050CT thru MBR1060CT  
Wide Temperature Range and High Tjm Schottky Barrier Rectifiers  
Dimensions TO-220AB  
Dim.  
Inches  
Min. Max.  
Milimeter  
Min. Max.  
A
C
A
A
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
M
N
Q
R
0.500 0.550  
0.580 0.630  
0.390 0.420  
0.139 0.161  
0.230 0.270  
0.100 0.125  
0.045 0.065  
0.110 0.230  
0.025 0.040  
12.70 13.97  
14.73 16.00  
9.91 10.66  
C
C(TAB)  
A
3.54  
5.85  
2.54  
1.15  
2.79  
0.64  
2.54  
4.32  
1.14  
0.35  
2.29  
4.08  
6.85  
3.18  
1.65  
5.84  
1.01  
BSC  
4.82  
1.39  
0.56  
2.79  
A=Anode, C=Cathode, TAB=Cathode  
VRRM  
V
VRMS  
V
VDC  
V
0.100  
BSC  
0.170 0.190  
0.045 0.055  
0.014 0.022  
0.090 0.110  
MBR1050CT  
MBR1060CT  
50  
35  
50  
60  
60  
42  
Symbol  
Characteristics  
Maximum Ratings  
Unit  
I(AV)  
Maximum Average Forward Rectified Current @TC=105oC  
10  
A
A
Peak Forward Surge Current 8.3ms Single Half-Sine-Wave  
Superimposed On Rated Load (JEDEC METHOD)  
IFSM  
125  
dv/dt  
Voltage Rate Of Change (Rated VR)  
10000  
V/us  
IF=5A @TJ=25oC  
Maximum Forward  
0.65  
0.80  
0.90  
VF  
IF=5A @TJ=125oC  
V
Voltage (Note 1)  
IF=10A @TJ=125oC  
Maximum DC Reverse Current  
At Rated DC Blocking Voltage  
@TJ=25oC  
0.1  
15  
IR  
mA  
@TJ=125oC  
3.0  
oC/W  
pF  
oC  
ROJC  
CJ  
Typical Thermal Resistance (Note 2)  
Typical Junction Capacitance Per Element (Note 3)  
Operating Temperature Range  
220  
-55 to +150  
-55 to +175  
TJ  
TSTG  
Storage Temperature Range  
oC  
NOTES: 1. 300us Pulse Width, Duty Cycle 2%.  
2. Thermal Resistance Junction To Case.  
3. Measured At 1.0MHz And Applied Reverse Voltage Of 4.0V DC.  
FEATURES  
MECHANICAL DATA  
* Metal of silicon rectifier, majority carrier conducton  
* Guard ring for transient protection  
* Low power loss, high efficiency  
* High current capability, low VF  
* Case: TO-220AB molded plastic  
* Polarity: As marked on the body  
* Weight: 0.08 ounces, 2.24 grams  
* Mounting position: Any  
* High surge capacity  
* For use in low voltage, high frequency inverters, free  
whelling, and polarity protection applications  
12

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
MBR1060C-T SHIKUES SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS

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