是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TSOP1 |
包装说明: | PLASTIC, TSOP1-48 | 针数: | 48 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A991.B.1.A |
HTS代码: | 8542.32.00.51 | 风险等级: | 5.87 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 120 ns |
命令用户界面: | YES | 通用闪存接口: | YES |
数据轮询: | YES | JESD-30 代码: | R-PDSO-G48 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 18.4 mm |
内存密度: | 67108864 bit | 内存集成电路类型: | FLASH |
内存宽度: | 16 | 功能数量: | 1 |
部门数/规模: | 128 | 端子数量: | 48 |
字数: | 4194304 words | 字数代码: | 4000000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 4MX16 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSOP1 |
封装等效代码: | TSSOP48,.8,20 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 240 | 电源: | 3/3.3 V |
编程电压: | 3 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.1 mm | 部门规模: | 32K |
最大待机电流: | 0.000005 A | 子类别: | Flash Memories |
最大压摆率: | 0.04 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.5 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
切换位: | YES | 类型: | NOR TYPE |
宽度: | 12 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MBM29LV650UE-12TN | SPANSION |
获取价格 |
4MX16 FLASH 2.7V PROM, 120ns, PDSO48, PLASTIC, TSOP1-48 | |
MBM29LV650UE12TN-E1 | SPANSION |
获取价格 |
Flash, 4MX16, 120ns, PDSO48, PLASTIC, TSOP1-48 | |
MBM29LV650UE12TR | SPANSION |
获取价格 |
Flash, 4MX16, 120ns, PDSO48, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-48 | |
MBM29LV650UE12TR | FUJITSU |
获取价格 |
64M (4M x 16) BIT | |
MBM29LV650UE-12TR | FUJITSU |
获取价格 |
4MX16 FLASH 2.7V PROM, 120ns, PDSO48, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-48 | |
MBM29LV650UE12TR-E1 | SPANSION |
获取价格 |
Flash, 4MX16, 120ns, PDSO48, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-48 | |
MBM29LV650UE-90 | FUJITSU |
获取价格 |
64M (4M x 16) BIT | |
MBM29LV650UE90TN | FUJITSU |
获取价格 |
64M (4M x 16) BIT | |
MBM29LV650UE-90TN | FUJITSU |
获取价格 |
暂无描述 | |
MBM29LV650UE90TN-E1 | SPANSION |
获取价格 |
Flash, 4MX16, 90ns, PDSO48, PLASTIC, TSOP1-48 |