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Datasheet > 存储 > 闪存> MBM29LV650UE90TN
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MBM29LV650UE90TN

更新时间： 2024-09-15 22:08:27
品牌 Logo 应用领域
富士通 - FUJITSU 闪存内存集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
57页 587K
描述
64M (4M x 16) BIT

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MBM29LV650UE90TN 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
零件包装代码：TSOP1包装说明：PLASTIC, TSOP1-48
针数：48Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：3A991.B.1.AHTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.22Is Samacsys：N
最长访问时间：90 ns其他特性：100000 ERASE CYCLES
命令用户界面：YES通用闪存接口：YES
数据轮询：YESJESD-30 代码：R-PDSO-G48
JESD-609代码：e0长度：18.4 mm
内存密度：67108864 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：16功能数量：1
部门数/规模：128端子数量：48
字数：4194304 words字数代码：4000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：4MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP1
封装等效代码：TSSOP48,.8,20封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
电源：3/3.3,3.3 V编程电压：3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
部门规模：32K最大待机电流：0.000005 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.04 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
切换位：YES类型：NOR TYPE
宽度：12 mmBase Number Matches：1

MBM29LV650UE90TN 数据手册

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FUJITSU SEMICONDUCTOR  
DATA SHEET  
DS05-20882-2E  
FLASH MEMORY  
CMOS  
64M (4M × 16) BIT  
MBM29LV650UE/651UE -90/12  
■ DESCRIPTION  
The MBM29LV650UE/651UE is a 64M-bit, 3.0 V-only Flash memory organized as 4M words of 16 bits each. The  
device is designed to be programmed in system with the standard system 3.0 V VCC supply. 12.0 V VPP and  
5.0 V VCC are not required for write or erase operations. The devices can also be reprogrammed in standard  
EPROM programmers.  
To eliminate bus contention the devices have separate chip enable (CE), write enable (WE), and output enable  
(OE) controls.  
The MBM29LV650UE/651UE is entirely command set compatible with JEDEC single-power-supply Flash stan-  
dard. Commands are written to the command register using standard microprocessor write timings. Register  
contents serve as input to an internal state-machine which controls the erase and programming circuitry. Write  
cycles also internally latch addresses and data needed for the programming and erase operations.  
Typically, each sector can be programmed and verified in about 0.5 seconds.  
(Continued)  
■ PRODUCT LINEUP  
Part No.  
VCC = 3.3 V  
MBM29LV650UE/651UE  
+0.3 V  
–0.3 V  
90  
—
—
Ordering Part No.  
+0.6 V  
–0.3 V  
12  
VCC = 3.0 V  
Max. Address Access Time (ns)  
Max. CE Access Time (ns)  
Max. OE Access Time (ns)  
90  
90  
35  
120  
120  
50  
■ PACKAGES  
48-pin plastic TSOP (I)  
Marking Side  
Marking Side  
(FPT-48P-M19)  
(FPT-48P-M20)  
1234567...57

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MBM29LV650UE90TN 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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 		暂无描述
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 		64M (4M x 16) BIT
MBM29LV651UE12TN SPANSION

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 		Flash, 4MX16, 120ns, PDSO48, PLASTIC, TSOP1-48

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