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MBM29LV650UE-12TR

更新时间： 2024-09-16 13:11:11
品牌 Logo 应用领域
富士通 - FUJITSU /
页数 文件大小 规格书
57页 587K
描述
4MX16 FLASH 2.7V PROM, 120ns, PDSO48, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-48

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MBM29LV650UE-12TR 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP1
包装说明：PLASTIC, REVERSE, TSOP1-48针数：48
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.68
最长访问时间：120 nsJESD-30 代码：R-PDSO-G48
长度：18.4 mm内存密度：67108864 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：16
功能数量：1端子数量：48
字数：4194304 words字数代码：4000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：4MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP1-R
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL编程电压：2.7 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL宽度：12 mm
Base Number Matches：1

MBM29LV650UE-12TR 数据手册

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FUJITSU SEMICONDUCTOR  
DATA SHEET  
DS05-20882-2E  
FLASH MEMORY  
CMOS  
64M (4M × 16) BIT  
MBM29LV650UE/651UE -90/12  
■ DESCRIPTION  
The MBM29LV650UE/651UE is a 64M-bit, 3.0 V-only Flash memory organized as 4M words of 16 bits each. The  
device is designed to be programmed in system with the standard system 3.0 V VCC supply. 12.0 V VPP and  
5.0 V VCC are not required for write or erase operations. The devices can also be reprogrammed in standard  
EPROM programmers.  
To eliminate bus contention the devices have separate chip enable (CE), write enable (WE), and output enable  
(OE) controls.  
The MBM29LV650UE/651UE is entirely command set compatible with JEDEC single-power-supply Flash stan-  
dard. Commands are written to the command register using standard microprocessor write timings. Register  
contents serve as input to an internal state-machine which controls the erase and programming circuitry. Write  
cycles also internally latch addresses and data needed for the programming and erase operations.  
Typically, each sector can be programmed and verified in about 0.5 seconds.  
(Continued)  
■ PRODUCT LINEUP  
Part No.  
VCC = 3.3 V  
MBM29LV650UE/651UE  
+0.3 V  
–0.3 V  
90  
—
—
Ordering Part No.  
+0.6 V  
–0.3 V  
12  
VCC = 3.0 V  
Max. Address Access Time (ns)  
Max. CE Access Time (ns)  
Max. OE Access Time (ns)  
90  
90  
35  
120  
120  
50  
■ PACKAGES  
48-pin plastic TSOP (I)  
Marking Side  
Marking Side  
(FPT-48P-M19)  
(FPT-48P-M20)  
1234567...57

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与MBM29LV650UE-12TR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MBM29LV650UE12TR-E1 SPANSION

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 		Flash, 4MX16, 120ns, PDSO48, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-48
MBM29LV650UE-90 FUJITSU

获取价格

 		64M (4M x 16) BIT
MBM29LV650UE90TN FUJITSU

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 		64M (4M x 16) BIT
MBM29LV650UE-90TN FUJITSU

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 		暂无描述
MBM29LV650UE90TN-E1 SPANSION

获取价格

 		Flash, 4MX16, 90ns, PDSO48, PLASTIC, TSOP1-48
MBM29LV650UE90TNER SPANSION

获取价格

 		4MX16 FLASH 3V PROM, 90ns, PDSO48, PLASTIC, TSOP1-48
MBM29LV650UE90TR FUJITSU

获取价格

 		64M (4M x 16) BIT
MBM29LV650UE-90TR SPANSION

获取价格

 		4MX16 FLASH 3V PROM, 90ns, PDSO48, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-48
MBM29LV650UE90TR-E1 SPANSION

获取价格

 		Flash, 4MX16, 90ns, PDSO48, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-48
MBM29LV651UE FUJITSU

获取价格

 		64M (4M x 16) BIT

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