5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | PLASTIC, TSOP-48 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.51 |
| 风险等级： | 5.79 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 90 ns | 其他特性： | MINIMUM 100000 WRITE/ERASE CYCLES |
| 命令用户界面： | YES | 数据轮询： | YES |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G48 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 18.4 mm | 内存密度： | 8388608 bit |
| 内存集成电路类型： | FLASH | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 部门数/规模： | 16 |
| 端子数量： | 48 | 字数： | 1048576 words |
| 字数代码： | 1000000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | -20 °C |
| 组织： | 1MX8 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSOP1 | 封装等效代码： | TSSOP48,.8,20 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 5 V | 编程电压： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 就绪/忙碌： | YES |
| 座面最大高度： | 1.2 mm | 部门规模： | 64K |
| 最大待机电流： | 0.000005 A | 子类别： | Flash Memories |
| 最大压摆率： | 0.045 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.5 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 切换位： | YES | 类型： | NOR TYPE |
| 宽度： | 12 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MBM29F080-90PFTR | FUJITSU |
获取价格 |
Flash, 1MX8, 90ns, PDSO48, PLASTIC, REVERSE, TSOP-48 |
|
| MBM29F080-90PTR | FUJITSU |
获取价格 |
Flash, 1MX8, 90ns, PDSO40, PLASTIC, REVERSE, TSOP-40 |
|
| MBM29F080A | SPANSION |
获取价格 |
FLASH MEMORY CMOS 8M (1M x 8) BIT |
|
| MBM29F080A | FUJITSU |
获取价格 |
8M (1M X 8) BIT |
|
| MBM29F080A-55 | FUJITSU |
获取价格 |
8M (1M X 8) BIT |
|
| MBM29F080A-55 | SPANSION |
获取价格 |
FLASH MEMORY CMOS 8M (1M x 8) BIT |
|
| MBM29F080A-55PF | SPANSION |
获取价格 |
FLASH MEMORY CMOS 8M (1M x 8) BIT |
|
| MBM29F080A-55PFTN | SPANSION |
获取价格 |
FLASH MEMORY CMOS 8M (1M x 8) BIT |
|
| MBM29F080A-55PFTN-E1 | SPANSION |
获取价格 |
Flash, 1MX8, 55ns, PDSO48, PLASTIC, TSOP1-48 |
|
| MBM29F080A-55PFTR | SPANSION |
获取价格 |
FLASH MEMORY CMOS 8M (1M x 8) BIT |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
