是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TSOP1 | 包装说明: | PLASTIC, REVERSE, TSOP1-48 |
针数: | 48 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.81 | 最长访问时间: | 55 ns |
命令用户界面: | YES | 数据轮询: | YES |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G48 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 18.4 mm | 内存密度: | 8388608 bit |
内存集成电路类型: | FLASH | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 部门数/规模: | 16 |
端子数量: | 48 | 字数: | 1048576 words |
字数代码: | 1000000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | -20 °C |
组织: | 1MX8 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSOP1-R | 封装等效代码: | TSSOP48,.8,20 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 240 |
电源: | 5 V | 编程电压: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 就绪/忙碌: | YES |
反向引出线: | YES | 座面最大高度: | 1.2 mm |
部门规模: | 64K | 最大待机电流: | 0.000005 A |
子类别: | Flash Memories | 最大压摆率: | 0.045 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.25 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.75 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.5 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 切换位: | YES |
类型: | NOR TYPE | 宽度: | 12 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MBM29F080A-55PTN | SPANSION |
获取价格 |
FLASH MEMORY CMOS 8M (1M x 8) BIT | |
MBM29F080A-55PTN-E1 | SPANSION |
获取价格 |
Flash, 1MX8, 55ns, PDSO40, PLASTIC, TSOP1-40 | |
MBM29F080A-55PTR | SPANSION |
获取价格 |
FLASH MEMORY CMOS 8M (1M x 8) BIT | |
MBM29F080A-55PTR-E1 | SPANSION |
获取价格 |
Flash, 1MX8, 55ns, PDSO40, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-40 | |
MBM29F080A-70 | SPANSION |
获取价格 |
FLASH MEMORY CMOS 8M (1M x 8) BIT | |
MBM29F080A-70 | FUJITSU |
获取价格 |
8M (1M X 8) BIT | |
MBM29F080A-70PF | SPANSION |
获取价格 |
FLASH MEMORY CMOS 8M (1M x 8) BIT | |
MBM29F080A-70PF-E1 | SPANSION |
获取价格 |
Flash, 1MX8, 70ns, PDSO44, PLASTIC, SOP-44 | |
MBM29F080A-70PFTN | SPANSION |
获取价格 |
FLASH MEMORY CMOS 8M (1M x 8) BIT | |
MBM29F080A-70PFTN-E1 | SPANSION |
获取价格 |
Flash, 1MX8, 70ns, PDSO48, PLASTIC, TSOP1-48 |