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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | TSOP1-R, TSSOP40,.8,20 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.51 |
| 风险等级： | 5.92 | 最长访问时间： | 90 ns |
| 其他特性： | MINIMUM 100000 WRITE/ERASE CYCLES | 命令用户界面： | YES |
| 数据轮询： | YES | JESD-30 代码： | R-PDSO-G40 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 18.4 mm |
| 内存密度： | 8388608 bit | 内存集成电路类型： | FLASH |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 部门数/规模： | 16 | 端子数量： | 40 |
| 字数： | 1048576 words | 字数代码： | 1000000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | -20 °C | 组织： | 1MX8 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TSOP1-R |
| 封装等效代码： | TSSOP40,.8,20 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 5 V |
| 编程电压： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 就绪/忙碌： | YES | 反向引出线： | YES |
| 座面最大高度： | 1.2 mm | 部门规模： | 64K |
| 最大待机电流： | 0.000005 A | 子类别： | Flash Memories |
| 最大压摆率： | 0.045 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.5 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 切换位： | YES | 类型： | NOR TYPE |
| 宽度： | 10 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MBM29F080A | SPANSION |
获取价格 |
FLASH MEMORY CMOS 8M (1M x 8) BIT |
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| MBM29F080A | FUJITSU |
获取价格 |
8M (1M X 8) BIT |
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| MBM29F080A-55 | FUJITSU |
获取价格 |
8M (1M X 8) BIT |
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| MBM29F080A-55 | SPANSION |
获取价格 |
FLASH MEMORY CMOS 8M (1M x 8) BIT |
|
| MBM29F080A-55PF | SPANSION |
获取价格 |
FLASH MEMORY CMOS 8M (1M x 8) BIT |
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| MBM29F080A-55PFTN | SPANSION |
获取价格 |
FLASH MEMORY CMOS 8M (1M x 8) BIT |
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| MBM29F080A-55PFTN-E1 | SPANSION |
获取价格 |
Flash, 1MX8, 55ns, PDSO48, PLASTIC, TSOP1-48 |
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| MBM29F080A-55PFTR | SPANSION |
获取价格 |
FLASH MEMORY CMOS 8M (1M x 8) BIT |
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| MBM29F080A-55PTN | SPANSION |
获取价格 |
FLASH MEMORY CMOS 8M (1M x 8) BIT |
|
| MBM29F080A-55PTN-E1 | SPANSION |
获取价格 |
Flash, 1MX8, 55ns, PDSO40, PLASTIC, TSOP1-40 |
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