5秒后页面跳转
MBM29F080-90PTR PDF预览

MBM29F080-90PTR

更新时间: 2024-11-23 15:40:55
品牌 Logo 应用领域
富士通 - FUJITSU 光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
50页 1710K
描述
Flash, 1MX8, 90ns, PDSO40, PLASTIC, REVERSE, TSOP-40

MBM29F080-90PTR 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:TSOP1-R, TSSOP40,.8,20Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.92最长访问时间:90 ns
其他特性:MINIMUM 100000 WRITE/ERASE CYCLES命令用户界面:YES
数据轮询:YESJESD-30 代码:R-PDSO-G40
JESD-609代码:e0长度:18.4 mm
内存密度:8388608 bit内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:8功能数量:1
部门数/规模:16端子数量:40
字数:1048576 words字数代码:1000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:-20 °C组织:1MX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP1-R
封装等效代码:TSSOP40,.8,20封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:5 V
编程电压:5 V认证状态:Not Qualified
就绪/忙碌:YES反向引出线:YES
座面最大高度:1.2 mm部门规模:64K
最大待机电流:0.000005 A子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.045 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:0.5 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
切换位:YES类型:NOR TYPE
宽度:10 mmBase Number Matches:1

MBM29F080-90PTR 数据手册

 浏览型号MBM29F080-90PTR的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MBM29F080-90PTR的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MBM29F080-90PTR的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MBM29F080-90PTR的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MBM29F080-90PTR的Datasheet PDF文件第6页浏览型号MBM29F080-90PTR的Datasheet PDF文件第7页 

与MBM29F080-90PTR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MBM29F080A SPANSION

获取价格

FLASH MEMORY CMOS 8M (1M x 8) BIT
MBM29F080A FUJITSU

获取价格

8M (1M X 8) BIT
MBM29F080A-55 FUJITSU

获取价格

8M (1M X 8) BIT
MBM29F080A-55 SPANSION

获取价格

FLASH MEMORY CMOS 8M (1M x 8) BIT
MBM29F080A-55PF SPANSION

获取价格

FLASH MEMORY CMOS 8M (1M x 8) BIT
MBM29F080A-55PFTN SPANSION

获取价格

FLASH MEMORY CMOS 8M (1M x 8) BIT
MBM29F080A-55PFTN-E1 SPANSION

获取价格

Flash, 1MX8, 55ns, PDSO48, PLASTIC, TSOP1-48
MBM29F080A-55PFTR SPANSION

获取价格

FLASH MEMORY CMOS 8M (1M x 8) BIT
MBM29F080A-55PTN SPANSION

获取价格

FLASH MEMORY CMOS 8M (1M x 8) BIT
MBM29F080A-55PTN-E1 SPANSION

获取价格

Flash, 1MX8, 55ns, PDSO40, PLASTIC, TSOP1-40