是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TSOP1 |
包装说明: | PLASTIC, TSOP1-48 | 针数: | 48 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.51 | 风险等级: | 5.81 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 90 ns |
命令用户界面: | YES | 数据轮询: | YES |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G48 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 18.4 mm | 内存密度: | 8388608 bit |
内存集成电路类型: | FLASH | 内存宽度: | 8 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
部门数/规模: | 16 | 端子数量: | 48 |
字数: | 1048576 words | 字数代码: | 1000000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 1MX8 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSOP1 |
封装等效代码: | TSSOP48,.8,20 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 240 | 电源: | 5 V |
编程电压: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
就绪/忙碌: | YES | 座面最大高度: | 1.2 mm |
部门规模: | 64K | 最大待机电流: | 0.000005 A |
子类别: | Flash Memories | 最大压摆率: | 0.045 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.5 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 切换位: | YES |
类型: | NOR TYPE | 宽度: | 12 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MBM29F080A-90PFTN-E1 | SPANSION |
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Flash, 1MX8, 90ns, PDSO48, PLASTIC, TSOP1-48 | |
MBM29F080A-90PFTR | SPANSION |
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FLASH MEMORY CMOS 8M (1M x 8) BIT | |
MBM29F080A-90PFTR-E1 | SPANSION |
获取价格 |
Flash, 1MX8, 90ns, PDSO48, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-48 | |
MBM29F080A-90PTN | SPANSION |
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FLASH MEMORY CMOS 8M (1M x 8) BIT | |
MBM29F080A-90PTN-E1 | SPANSION |
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Flash, 1MX8, 90ns, PDSO40, PLASTIC, TSOP1-40 | |
MBM29F080A-90PTR | SPANSION |
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FLASH MEMORY CMOS 8M (1M x 8) BIT | |
MBM29F080AC-55PF | FUJITSU |
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8M (1M X 8) BIT | |
MBM29F080AC-55PFTN | FUJITSU |
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8M (1M X 8) BIT | |
MBM29F080AC-55PFTR | FUJITSU |
获取价格 |
8M (1M X 8) BIT | |
MBM29F080AC-55PTN | FUJITSU |
获取价格 |
8M (1M X 8) BIT |