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MB85RS64

更新时间: 2024-11-21 12:49:23
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富士通 - FUJITSU /
页数 文件大小 规格书
32页 295K
描述
64 K (8 K×8) ビットSPI

MB85RS64 数据手册

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FUJITSU SEMICONDUCTOR  
DS501-00012-5v0-J  
DATA SHEET  
メモリ FRAM  
64 K (8 K×8) ビット SPI  
MB85RS64  
概ꢀ要  
MB85RS64 , 不揮発性メモリセルを形成する強誘電体プロセスとシリコンゲート CMOS プロセスを用いた 8,192 ワー  
×8 ビット構成の FRAM (Ferroelectric Random Access Memory:強誘電体ランダムアクセスメモリ ) です。  
MB85RS64 , シリアルペリフェラルインタフェース (SPI) を採用しています。  
MB85RS64 , SRAM のようにデータバックアップ用バッテリを使用することなくデータ保持が可能です。  
MB85RS64 に採用しているメモリセルは 1012 回の書込み / 読出し動作が可能で , フラッシュメモリや E2PROM の書換え  
可能回数を大きく上回ります。  
MB85RS64 はフラッシュメモリや E2PROM のような長い書込み時間は必要とせず , 書込みの待ち時間はゼロですた  
がって , 書込み完了待ちのシーケンスを必要としません。  
特ꢀ長  
・ ビット構成  
・ シリアルペリフェラルインタフェース : SPI (Serial Peripheral Interface)  
SPI モード 0 (0, 0) とモード 3 (1, 1) に対応  
: 20 MHz(Max)  
: 8,192 ワード ×8 ビット  
・ 動作周波数  
・ 書込み / 読出し耐性  
・ データ保持特性  
・ 動作電源電圧  
・ 低消費電力  
: 1012 / バイト  
: 10 ( 85 °C), 95 ( 55 °C), 200 年以上 ( 35 °C)  
: 2.7 V 3.6 V  
: 動作電源電流 1.5 mA (Typ@20 MHz)  
スタンバイ電流 5 μA (Typ)  
・ 動作周囲温度  
・ パッケージ  
: 40 °C ~+ 85 °C  
: プラスチッSOP, 8 ピン (FPT-8P-M02)  
本製品は RoHS 指令に適合しています。  
Copyright©2011-2013 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED All rights reserved  
2013.9  

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