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MB84VD22183EE-90-PBS

更新时间: 2024-11-22 22:14:03
品牌 Logo 应用领域
富士通 - FUJITSU 存储内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
61页 1478K
描述
32M (x 8/x16) FLASH MEMORY & 4M (x 8/x16) STATIC RAM

MB84VD22183EE-90-PBS 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Contact Manufacturer
零件包装代码:BGA包装说明:LFBGA, BGA73,10X12,32
针数:73Reach Compliance Code:compliant
HTS代码:8542.32.00.71风险等级:5.22
Is Samacsys:N最长访问时间:90 ns
其他特性:ALSO INCLUDED 256K X 16 SRAMJESD-30 代码:R-PBGA-B73
JESD-609代码:e0长度:11.6 mm
内存密度:33554432 bit内存集成电路类型:MEMORY CIRCUIT
内存宽度:16混合内存类型:FLASH+SRAM
功能数量:1端子数量:73
字数:2097152 words字数代码:2000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-25 °C组织:2MX16
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:LFBGA
封装等效代码:BGA73,10X12,32封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:3 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.4 mm子类别:Other Memory ICs
最大压摆率:0.053 mA最大供电电压 (Vsup):3.3 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:OTHER端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:BALL端子节距:0.8 mm
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:8 mmBase Number Matches:1

MB84VD22183EE-90-PBS 数据手册

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FUJITSU SEMICONDUCTOR  
DATA SHEET  
DS05-50204-2E  
Stacked MCP (Multi-Chip Package) FLASH MEMORY & SRAM  
CMOS  
32M (× 8/×16) FLASH MEMORY &  
4M (× 8/×16) STATIC RAM  
MB84VD2218XEC-90/MB84VD2219XEC-90  
MB84VD2218XEE-90/MB84VD2219XEE-90  
FEATURES  
• Power supply voltage of 2.7 to 3.3 V  
• High performance  
90 ns maximum access time (Flash)  
85 ns maximum access time (SRAM)  
• Operating Temperature  
–25 to +85°C  
• Package 73-ball BGA  
(Continued)  
PRODUCT LINE UP  
Flash Memory  
SRAM  
+0.3 V  
–0.3 V  
Ordering Part No.  
MB84VD2218XEC/EE-90/MB84VD2219XEC/EE-90  
VCCf, VCCs = 3.0 V  
Max. Address Access Time (ns)  
Max. CE Access Time (ns)  
Max. OE Access Time (ns)  
90  
90  
40  
85  
85  
45  
PACKAGE  
73-ball plastic BGA  
(BGA-73P-M01)  

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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32M (x 8/x16) FLASH MEMORY & 4M (x 8/x16) STATIC RAM
MB84VD22184EB-85PBS FUJITSU

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SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA73, PLASTIC, FBGA-73