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MB84VD22183EH-85PBS

更新时间： 2024-11-19 20:02:47

品牌	Logo	应用领域
富士通 - FUJITSU		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
64页	1189K
描述
Memory Circuit, Flash+SRAM, 2MX16, CMOS, PBGA71, PLASTIC, BGA-71

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MB84VD22183EH-85PBS 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Contact Manufacturer
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TFBGA, BGA71,8X12,32
针数：	71	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8542.32.00.71	风险等级：	5.2
最长访问时间：	85 ns	其他特性：	SRAM IS CONFIGURED AS 256K X 16/512K X 8
JESD-30 代码：	R-PBGA-B71	JESD-609代码：	e0
长度：	11 mm	内存密度：	33554432 bit
内存集成电路类型：	MEMORY CIRCUIT	内存宽度：	16
混合内存类型：	FLASH+SRAM	功能数量：	1
端子数量：	71	字数：	2097152 words
字数代码：	2000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-25 °C
组织：	2MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TFBGA	封装等效代码：	BGA71,8X12,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
子类别：	Other Memory ICs	最大压摆率：	0.053 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.3 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	7 mm
Base Number Matches：	1

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FUJITSU SEMICONDUCTOR

DATA SHEET

DS05-50219-1E

Stacked MCP (Multi-Chip Package) FLASH MEMORY & SRAM

CMOS

32 M (×8/×16) FLASH MEMORY &

4 M (×8/×16) STATIC RAM

MB84VD2218XEA/2218XEH-70/85/90

MB84VD2219XEA/2218XEH-70/85/90

■ FEATURES

• Power Supply Voltage of 2.7 V to 3.3 V

• High Performance

70 ns/85 ns/90 ns maximum access time (Flash)

70 ns/85 ns maximum access time (SRAM)

• Operating Temperature

−25 °C to +85 °C

• Package 71-ball BGA

(Continued)

■ PRODUCT LINE UP

Flash Memory

SRAM

-70

-85

-90

-70

-85/-90

+0.3 V

−0.3 V

+0.3 V

−0.3 V

Power Supply Voltage (V)

V^CCf* = 3.0 V

V^CCs* = 3.0 V

Max Address Access Time (ns)

Max CE Access Time (ns)

Max OE Access Time (ns)

■ PACKAGE

71-ball plastic BGA

(BGA-71P-M02)

12 3 4 5 6 7...64

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MB84VD22183EH-90-PBS	FUJITSU	获取价格	32M (x 8/x16) FLASH MEMORY & 4M (x 8/x16) STATIC RAM
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