MA740TX

更新时间： 2024-09-14 13:10:15

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描述
Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.2A, Silicon,

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MA740TX 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.83
Is Samacsys：	N	配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.55 V	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	2	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	0.2 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	最大功率耗散：	0.2 W
认证状态：	Not Qualified	最大反向恢复时间：	0.003 µs
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

MA740TX 数据手册

Schottky Barrier Diodes (SBD)

MA3X740

Silicon epitaxial planar type

Unit : mm

2.8 −⁺0⁰.^.3²

1.5 −⁺0⁰.^.205⁵

For super high speed switching circuit

For small current rectification

0.65 0.15

I Features

•

Two MA3X721s are contained in one package (series connec-

tion)

•

Allowing to rectify under (I_F(AV)= 200 mA) condition

(single diode value)

I Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Symbol

V_R

Rating

Unit

Reverse voltage (DC)

0.1 to 0.3

0.4 0.2

Repetitive peak reverse voltage

V_RRM

I_F(AV)

200

1 : Anode 1

2 : Cathode 2

3 : Cathode 1

Anode 2

Single

Average forward

current

Double^*1ꢀ

130

JEDEC : TO-236

EIAJ : SC-59

Single

I_FM

300

Peak forward

current

Mini Type Package (3-pin)

Double^*1ꢀ

Single

220

Marking Symbol: M3C

I_FSM

Non-repetitive peak

Double^*1ꢀ

0.7

Internal Connection

forward surge current

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

°C

T_stg

−55 to +150

Note)

: Value per chip

: The peak-to-peak value in one cycle of 50 Hz sine-wave

(non-repetitive)

I Electrical Characteristics T_a= 25°C

Parameter

Symbol

I_R

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Reverse current (DC)

V_R= 30 V

µA

Forward voltage (DC)

Terminal capacitance

Reverse recovery time^*

V_F

C_t

t_rr

I_F= 200 mA

0.55

V_R= 0 V, f = 1 MHz

I_F= I_R= 100 mA

I_rr= 10 mA, R_L= 100 Ω

Note) 1. Schottky barrier diode is sensitive to electric shock (static electricity, etc.). Due attention must be paid on the charge of a

human body and the leakage of current from the operating equipment.

ꢀ

2. Rated input/output frequency: 1 000 MHz

3. * : t_rrmeasuring instrument

Bias Application Unit N-50BU

Input Pulse

t_p

Output Pulse

t_rr

t_r

10%

I_F

90%

V_R

I_rr= 10 mA

t_p= 2 µs

t_r= 0.35 ns

δ = 0.05

I_F= 100 mA

I_R= 100 mA

R_L= 100 Ω

Pulse Generator

(PG-10N)

R_s= 50 Ω

W.F.Analyzer

(SAS-8130)

R_i= 50 Ω

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