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MA2ZD14 PDF预览

MA2ZD14

更新时间： 2024-11-10 22:13:07
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC /
页数 文件大小 规格书
2页 44K
描述
Silicon epitaxial planar type

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MA2ZD14 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SC-76包装说明：R-PDSO-F2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：5.84其他特性：HIGH SPEED SWITCH
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.4 VJESD-30 代码：R-PDSO-F2
元件数量：1端子数量：2
最大输出电流：0.1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：20 V最大反向恢复时间：0.003 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
Base Number Matches：1

MA2ZD14 数据手册

 浏览型号MA2ZD14的Datasheet PDF文件第2页 
Schottky Barrier Diodes (SBD)  
MA2ZD14  
Silicon epitaxial planar type  
Unit : mm  
For high-speed switching circuits  
K
A
I Features  
•
•
S-mini type 2-pin package  
Low forward rise voltage VF (VF < 0.4 V)  
1
2
I Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C  
Parameter  
Symbol  
VR  
Rating  
20  
Unit  
V
Reverse voltage (DC)  
Repetitive peak reverse voltage  
Average forward current  
Peak forward current  
0.4 0.1  
0.4 0.1  
1.7 0.1  
2.5 0.2  
VRRM  
IF(AV)  
IFM  
20  
V
100  
300  
1
mA  
mA  
A
1 : Anode  
2 : Cathode  
S-Mini Type Package (2-pin)  
Non-repetitive peak forward  
surge current*  
IFSM  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
125  
°C  
°C  
Marking Symbol: 2N  
Internal Connection  
Tstg  
−55 to +125  
Note)  
*
: The peak-to-peak value in one cycle of 50 Hz sine-wave  
(non-repetitive)  
2
1
I Electrical Characteristics Ta = 25°C 3°C  
Parameter  
Reverse current (DC)  
Forward voltage (DC)  
Symbol  
IR  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
20  
Unit  
µA  
V
VR = 10 V  
IF = 5 mA  
IF = 100 mA  
VF1  
VF2  
Ct  
0.27  
0.40  
V
Terminal capacitance  
Reverse recovery time*  
VR = 0 V, f = 1 MHz  
25  
pF  
ns  
trr  
IF = IR = 100 mA  
3.0  
Irr = 10 mA, RL = 100 Ω  
Note) 1. Schottky barrier diode is sensitive to electric shock (static electricity, etc.). Due attention must be paid on the charge of a  
human body and the leakage of current from the operating equipment.  
2. Rated input/output frequency: 250 MHz  
3. * : trr measuring instrument  
Bias Application Unit N-50BU  
Input Pulse  
tp  
Output Pulse  
trr  
tr  
t
10%  
IF  
t
A
90%  
VR  
Irr = 10 mA  
tp = 2 µs  
tr = 0.35 ns  
δ = 0.05  
IF = 100 mA  
IR = 100 mA  
RL = 100 Ω  
Pulse Generator  
(PG-10N)  
Rs = 50 Ω  
W.F.Analyzer  
(SAS-8130)  
Ri = 50 Ω  
1
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MA2ZD140G PANASONIC

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.1A, 20V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, SMINI2-F3
MA2ZD18 PANASONIC

获取价格

 		Silicon epitaxial planar type
MA2ZD180G PANASONIC

获取价格

 		Mixer Diode, Very High Frequency, Silicon, ROHS COMPLIANT, SMINI2-F3, 2 PIN
MA2ZV01 PANASONIC

获取价格

 		Silicon epitaxial planar type
MA2ZV01 KEXIN

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 		Silicon Epitaxial Planar Diode
MA2ZV01 TYSEMI

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 		Product specification
MA2ZV02 KEXIN

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 		Silicon Epitaxial Planar Diode
MA2ZV02 PANASONIC

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 		Silicon epitaxial planar type
MA2ZV03 PANASONIC

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 		Silicon epitaxial planar type
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 		Silicon Epitaxial Planar Diode

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