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MA2ZD180G

更新时间： 2024-11-11 14:53:03

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		光电二极管
页数	文件大小	规格书
3页	226K
描述
Mixer Diode, Very High Frequency, Silicon, ROHS COMPLIANT, SMINI2-F3, 2 PIN

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MA2ZD180G 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PDSO-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.60
风险等级：	5.81	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	MIXER DIODE
频带：	VERY HIGH FREQUENCY	JESD-30 代码：	R-PDSO-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

MA2ZD180G 数据手册

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).

Schottky Barrier Diodes (SBD)

MA2ZD18

Silicon epitaxial planar type

Unit: mm

1.25 ^0.1

0.7 0.1

For super high speed switching

0.35 0.1

■ Features

0 to 0.1

•

Low forward voltage V_F

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

+0.1

0.16

0.5 ^0.1

–0.06

5˚

Parameter

Reverse voltage

Symbol

V_R

Rating

Unit

Repetitive peak reverse voltage

V_RRM

I_F(AV)

I_FSM

Forward current (Average) ^*

500

Non-repetitive peak forward

1: Anode

surge current ^*

2: Cathode

EIAJ : SC-76

Junction temperature

Storage temperature

T_j

125

°C

SMini2-F1 Package

T_stg

−55 to +125

Marking Symbol: 2P

Note) 1: Mounted on an alumina PC board

2: The peak-to-peak value in one cycle of 50 Hz sine wave (non-repetitive)

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Forward voltage

Symbol

Conditions

Min

Typ

Max

0.42

200

Unit

V_F

I_R

I_F= 500 mA

V_R= 20 V

Reverse current

µA

Terminal capacitance

Reverse recovery time ^*

C_t

t_rr

V_R= 0 V, f = 1 MHz

100

I_F= I_R= 100 mA

I_rr= 10 mA, R_L= 100 Ω

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7031 measuring methods for diodes.

2. This product is sensitive to electric shock (static electricity, etc.). Due attention must be paid on the charge of a human body

and the leakage of current from the operating equipment.

ꢀ

3. Absolute frequency of input and output is 250 MHz.

4. : t_rrmeasurement circuit

Bias Application Unit (N-50BU)

Input Pulse

t_p

Output Pulse

t_rr

t_r

10%

I_F

90%

V_R

I_rr= 10 mA

t_p= 2 µs

t_r= 0.35 ns

δ = 0.05

I_F= 100 mA

I_R= 100 mA

R_L= 100 Ω

Pulse Generator

(PG-10N)

Wave Form Analyzer

(SAS-8130)

R_s= 50 Ω

R_i= 50 Ω

Publication date: April 2004

SKH00041BED

12 3

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MA2ZV01	TYSEMI	获取价格	Product specification
MA2ZV02	KEXIN	获取价格	Silicon Epitaxial Planar Diode
MA2ZV02	PANASONIC	获取价格	Silicon epitaxial planar type
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MA2ZV03	KEXIN	获取价格	Silicon Epitaxial Planar Diode
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