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M68AW512MN70ND1T

更新时间: 2024-09-19 22:07:59
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意法半导体 - STMICROELECTRONICS 静态存储器
页数 文件大小 规格书
19页 300K
描述
8 Mbit (512K x16) 3.0V Asynchronous SRAM

M68AW512MN70ND1T 数据手册

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M68AW512M  
8 Mbit (512K x16) 3.0V Asynchronous SRAM  
FEATURES SUMMARY  
SUPPLY VOLTAGE: 2.7 to 3.6V  
Figure 1. Package  
512K x 16 bits SRAM with OUTPUT ENABLE  
EQUAL CYCLE and ACCESS TIME: 55ns  
SINGLE BYTE READ/WRITE  
LOW STANDBY CURRENT  
LOW VCC DATA RETENTION: 1.5V  
TRI-STATE COMMON I/O  
44  
1
AUTOMATIC POWER DOWN  
TSOP44 Type II (ND)  
September 2004  
1/19  

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