5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLNG,1.0"H.SPACE |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 特性阻抗： | 50 Ω | 最大输入功率 (CW)： | 40 dBm |
| 功能数量： | 1 | 最大工作频率： | 175 MHz |
| 最小工作频率： | 135 MHz | 最高工作温度： | 100 °C |
| 最低工作温度： | -30 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装等效代码： | FLNG,1.0"H.SPACE | 电源： | 3.5,7.2 V |
| 射频/微波设备类型： | NARROW BAND HIGH POWER | 子类别： | RF/Microwave Amplifiers |
| 技术： | HYBRID | 最大电压驻波比： | 4 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| M68779H | MITSUBISHI |
获取价格 |
Silicon MOS FET Power Amplifier, 240-270MHz 7.0W FM PORTABLE |
|
| M68779M | MITSUBISHI |
获取价格 |
Silicon MOS FET Power Amplifier, 218-250MHz 7.0W FM PORTABLE |
|
| M68ADP912DG128PV | MOTOROLA |
获取价格 |
microcontroller unit 16BIT DEVICE |
|
| M68AF031A | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
256 Kbit (32K x 8) 5.0V Asynchronous SRAM |
|
| M68AF031AL55B1E | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
256 Kbit (32K x 8) 5.0V Asynchronous SRAM |
|
| M68AF031AL55B1F | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
256 Kbit (32K x 8) 5.0V Asynchronous SRAM |
|
| M68AF031AL55B1T | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
256 Kbit (32K x 8) 5.0V Asynchronous SRAM |
|
| M68AF031AL55B6E | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
256 Kbit (32K x 8) 5.0V Asynchronous SRAM |
|
| M68AF031AL55B6F | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
256 Kbit (32K x 8) 5.0V Asynchronous SRAM |
|
| M68AF031AL55B6T | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
256 Kbit (32K x 8) 5.0V Asynchronous SRAM |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
