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M68AF031AL55B6F

更新时间： 2024-02-27 18:57:55

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		静态存储器
页数	文件大小	规格书
22页	385K
描述
256 Kbit (32K x 8) 5.0V Asynchronous SRAM

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M68AF031AL55B6F 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIP	包装说明：	0.600 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, DIP-28
针数：	28	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.82	最长访问时间：	55 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDIP-T28
JESD-609代码：	e3	长度：	37.085 mm
内存密度：	262144 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	28	字数：	32768 words
字数代码：	32000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	32KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP28,.6	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	245	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	5.08 mm
最大待机电流：	0.000006 A	最小待机电流：	2 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	15.24 mm
Base Number Matches：	1

M68AF031AL55B6F 数据手册

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M68AF031A

256 Kbit (32K x 8) 5.0V Asynchronous SRAM

FEATURES SUMMARY

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SUPPLY VOLTAGE: 4.5 to 5.5V

Figure 1. Packages

32K x 8 bits SRAM with OUTPUT ENABLE

EQUAL CYCLE and ACCESS TIME: 55, 70ns

LOW STANDBY CURRENT

LOW V_CCDATA RETENTION: 2V

TRI-STATE COMMON I/O

AUTOMATIC POWER DOWN

PACKAGES

SO28 (MS)

–

SO28, PDIP28, TSOP28 Standard and

Reverse Pinout.

–

TSOP28 Standard Available in Lead-Free

Version

28

1

PDIP28 (B)

TSOP28 (N)

8 x 13.4mm

TSOP28 (NS)

8 x 13.4 mm (Reverse)

November 2004

1/22

12 3 4 5 6 7...22

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