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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
静态存储器 |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 22页 | 385K |  |
| 描述 | ||
| 256 Kbit (32K x 8) 5.0V Asynchronous SRAM | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | DIP | 包装说明： | 0.600 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, DIP-28 |
| 针数： | 28 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.82 | 最长访问时间： | 55 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDIP-T28 |
| JESD-609代码： | e3 | 长度： | 37.085 mm |
| 内存密度： | 262144 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 28 | 字数： | 32768 words |
| 字数代码： | 32000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 32KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP28,.6 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 245 | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 5.08 mm |
| 最大待机电流： | 0.000006 A | 最小待机电流： | 2 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.05 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 15.24 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| M68AF031AL55B6T | STMICROELECTRONICS | 256 Kbit (32K x 8) 5.0V Asynchronous SRAM |
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| M68AF031AL55MS1E | STMICROELECTRONICS | 256 Kbit (32K x 8) 5.0V Asynchronous SRAM |
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| M68AF031AL55MS1F | STMICROELECTRONICS | 256 Kbit (32K x 8) 5.0V Asynchronous SRAM |
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| M68AF031AL55MS1T | STMICROELECTRONICS | 256 Kbit (32K x 8) 5.0V Asynchronous SRAM |
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| M68AF031AL55MS6E | STMICROELECTRONICS | 256 Kbit (32K x 8) 5.0V Asynchronous SRAM |
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| M68AF031AL55MS6F | STMICROELECTRONICS | 256 Kbit (32K x 8) 5.0V Asynchronous SRAM |
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