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M68AF031AL55B6F

更新时间: 2024-02-26 08:24:23
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意法半导体 - STMICROELECTRONICS 静态存储器
页数 文件大小 规格书
22页 385K
描述
256 Kbit (32K x 8) 5.0V Asynchronous SRAM

M68AF031AL55B6F 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIP包装说明:0.600 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, DIP-28
针数:28Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.82最长访问时间:55 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDIP-T28
JESD-609代码:e3长度:37.085 mm
内存密度:262144 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:28字数:32768 words
字数代码:32000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:32KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装等效代码:DIP28,.6封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):245电源:5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:5.08 mm
最大待机电流:0.000006 A最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.05 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:MATTE TIN端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:15.24 mm
Base Number Matches:1

M68AF031AL55B6F 数据手册

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M68AF031A  
Figure 19. TSOP28 - 28 lead Reverse Pinout Plastic Small Outline, Package Outline  
A2  
7
8
e
1
28  
E
B
22  
21  
D1  
D
A
CP  
DIE  
C
TSOP-H  
Note: Drawing is not to scale.  
A1  
α
L
Table 13. TSOP28 - 28 lead Reverse Pinout Plastic Small Outline, Package Mechanical Data  
millimeters  
Min  
inches  
Min  
Symbol  
Typ  
Max  
1.200  
0.150  
1.050  
Typ  
Max  
A
A1  
A2  
B
0.0472  
0.0059  
0.0413  
0.050  
0.910  
0.0020  
0.0358  
0.220  
0.0087  
C
0.100  
0.210  
0.0039  
0.0083  
CP  
D
0.100  
0.0039  
13.400  
11.800  
8.000  
0.5276  
0.4646  
0.3150  
0.0217  
D1  
E
e
0.550  
0.0118  
0
0.0276  
5
L
0.300  
0
0.700  
5
α
N
28  
28  
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