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M68AF031AL70MS1E

更新时间: 2024-10-27 22:05:39
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 静态存储器
页数 文件大小 规格书
22页 385K
描述
256 Kbit (32K x 8) 5.0V Asynchronous SRAM

M68AF031AL70MS1E 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOIC包装说明:0.300 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, SO-28
针数:28Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.82最长访问时间:70 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-G28
长度:18.22 mm内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:28
字数:32768 words字数代码:32000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:32KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装等效代码:SOP28,.5
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):260
电源:5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:2.79 mm最大待机电流:0.000006 A
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.05 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:7.505 mm
Base Number Matches:1

M68AF031AL70MS1E 数据手册

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M68AF031A  
256 Kbit (32K x 8) 5.0V Asynchronous SRAM  
FEATURES SUMMARY  
SUPPLY VOLTAGE: 4.5 to 5.5V  
Figure 1. Packages  
32K x 8 bits SRAM with OUTPUT ENABLE  
EQUAL CYCLE and ACCESS TIME: 55, 70ns  
LOW STANDBY CURRENT  
LOW VCC DATA RETENTION: 2V  
TRI-STATE COMMON I/O  
AUTOMATIC POWER DOWN  
PACKAGES  
SO28 (MS)  
SO28, PDIP28, TSOP28 Standard and  
Reverse Pinout.  
TSOP28 Standard Available in Lead-Free  
Version  
28  
1
PDIP28 (B)  
TSOP28 (N)  
8 x 13.4mm  
TSOP28 (NS)  
8 x 13.4 mm (Reverse)  
November 2004  
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