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M68AF031AL55B1E

更新时间： 2024-11-08 22:09:27

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		内存集成电路静态存储器光电二极管
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256 Kbit (32K x 8) 5.0V Asynchronous SRAM

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M68AF031AL55B1E 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIP	包装说明：	0.600 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, DIP-28
针数：	28	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.82	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	55 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDIP-T28	JESD-609代码：	e3
长度：	37.085 mm	内存密度：	262144 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	28
字数：	32768 words	字数代码：	32000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	32KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP28,.6
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	245
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	5.08 mm	最大待机电流：	0.000006 A
最小待机电流：	2 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.05 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	15.24 mm	Base Number Matches：	1

M68AF031AL55B1E 数据手册

M68AF031A

256 Kbit (32K x 8) 5.0V Asynchronous SRAM

FEATURES SUMMARY

■

SUPPLY VOLTAGE: 4.5 to 5.5V

Figure 1. Packages

32K x 8 bits SRAM with OUTPUT ENABLE

EQUAL CYCLE and ACCESS TIME: 55, 70ns

LOW STANDBY CURRENT

LOW V_CCDATA RETENTION: 2V

TRI-STATE COMMON I/O

AUTOMATIC POWER DOWN

PACKAGES

SO28 (MS)

–

SO28, PDIP28, TSOP28 Standard and

Reverse Pinout.

–

TSOP28 Standard Available in Lead-Free

Version

PDIP28 (B)

TSOP28 (N)

8 x 13.4mm

TSOP28 (NS)

8 x 13.4 mm (Reverse)

November 2004

1/22

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