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M66200AP

更新时间: 2024-02-15 01:30:33
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 动态存储器光电二极管外围集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 249K
描述
DRAM Controller, 1M X 1, CMOS, PDIP24, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-24

M66200AP 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIP包装说明:DIP, DIP24,.3
针数:24Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92地址总线宽度:
边界扫描:NO外部数据总线宽度:
JESD-30 代码:R-PDIP-T24JESD-609代码:e0
长度:29.2 mm低功率模式:NO
内存组织:1M X 1区块数量:2
端子数量:24最高工作温度:70 °C
最低工作温度:封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装等效代码:DIP24,.3
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:4.5 mm
子类别:Memory Controllers最大供电电压:5.5 V
最小供电电压:4.5 V标称供电电压:5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:7.62 mmuPs/uCs/外围集成电路类型:MEMORY CONTROLLER, DRAM
Base Number Matches:1

M66200AP 数据手册

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