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M5M5179P-45

更新时间: 2024-11-29 14:52:59
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三菱 - MITSUBISHI 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
5页 168K
描述
Standard SRAM, 8KX9, 45ns, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28

M5M5179P-45 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:DIP, DIP28,.3针数:28
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.92
Is Samacsys:N最长访问时间:45 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDIP-T28
JESD-609代码:e0内存密度:73728 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:9
功能数量:1端口数量:1
端子数量:28字数:8192 words
字数代码:8000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:8KX9输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装等效代码:DIP28,.3
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.002 A最小待机电流:4.5 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.12 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

M5M5179P-45 数据手册

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