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M5M5180AJ-25

更新时间: 2024-01-19 04:18:31
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
6页 206K
描述
Cache SRAM, 8KX8, 25ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28

M5M5180AJ-25 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SOJ
包装说明:SOJ,针数:28
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.84
Is Samacsys:N最长访问时间:25 ns
JESD-30 代码:R-PDSO-J28内存密度:65536 bit
内存集成电路类型:CACHE SRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:28字数:8192 words
字数代码:8000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:8KX8输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOJ封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
认证状态:Not Qualified最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:J BEND
端子位置:DUALBase Number Matches:1

M5M5180AJ-25 数据手册

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
M5M5180AJ-25T MITSUBISHI Cache SRAM, 8KX8, 25ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28

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