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M5M5187AD-35

更新时间: 2024-11-29 19:34:39
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
4页 280K
描述
Standard SRAM, 64KX1, 35ns, CMOS, CQCC22

M5M5187AD-35 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:QCCN, LCC22,.3X.5Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92最长访问时间:35 ns
I/O 类型:SEPARATEJESD-30 代码:R-XQCC-N22
JESD-609代码:e0内存密度:65536 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:1
端子数量:22字数:65536 words
字数代码:64000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:64KX1输出特性:3-STATE
封装主体材料:CERAMIC封装代码:QCCN
封装等效代码:LCC22,.3X.5封装形状:RECTANGULAR
封装形式:CHIP CARRIER并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.002 A最小待机电流:4.5 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.1 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:NO LEAD
端子节距:1.27 mm端子位置:QUAD
Base Number Matches:1

M5M5187AD-35 数据手册

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